Так как ИС герметизируется путем запрессовки в пластмассовый корпус типа 2, то тепловое сопротивление конструкции определяется
, (12)
где
,
- толщина слоя пластмассы (компаунда,
=1,7мм) и ее теплопроводность
(
);
- внутреннее тепловое сопротивление кристалла, которое определяется по формуле
, (13)
где
,
- толщина подложки pSi (
=200мкм) и ее теплопроводность
(
);
Температура кристалла рассчитывается по формуле
, (14)
где
- температура окружающей среды();
- площадь кристалла;
- суммарная мощность элементов.

Тогда
.
.
Так как рабочая температура не превышает допустимую 85, то никаких конструктивных мер принимать не следует.
Расчет паразитных связей
Определим паразитную емкость в участке, где она наибольшая. Для трех проводников их будет две. Обозначим их как С12 и С13. Частичные емкости между проводниками, параллельно расположенными на подложке и находящимися в окружении других проводников, вычисляют по следующей формуле
, (15)
где i,j – номера проводников;
l – длина проводников;
- расчетная диэлектрическая проницаемость(
=
2=6 при
2
1), где
1,
2 – диэлектрические проницаемости соответственно окружающей среды и двуокиси кремния;
- емкостный коэффициент i-ого и j-ого проводников,
рис.5. Система параллельных проводников






