Технология изготовления микросхемы

1.Химическая обработка пластин, двухстадийная в перикисно-аммиачном растворе.

2.Окисление кремния во влажном кислороде при 1000 в течении 2ч до получения окисла толщиной (0,6 0,06)мкм.

3.Фотолитография для образования окон под - скрытый слой. Применять фоторезист ФН 102. Нанесение фоторезиста и сушку осуществлять на агрегате формирования фоторезистивных покрытий АФФ 2. Сушку проводить в течении 15 мин. Экспанирование проводить в установке экспанирования ЭМ-569. Время экспанирования 40 сек. Проявление проводить в течении 20сек и температурой растворителя 50. После проявки сушку проводить в два этапа: 30 мин при температуре 90 и 40 мин при температуре 200. Для травления слоя расположенного под фоторезистивной маской использовать травитель следующего состава: HF: =2:7:1.

4.Химическая обработка пластин в перикисно-аммиачном растворе.

5.Диффузия сурьмы для формирования - скрытого слоя в две стадии: загонка при 1000 в течение 20мин, обработка осажденного сурьмяно-силикатного стекла во влажном кислороде при 1000, снятие стекла и окисла в растворе HF, вторая стадия разгонка при 1200 в течение 2 часов.

6.Снятие окисла в растворе :HF: =7:1:3.

7.Химическая обработка пластин в перикисно-аммиачном растворе.

8.Эпитаксиальное наращивание монокристаллического слоя кремния n-типа из газовой смеси + при 1200, толщиной (7 0,1) мкм, с плотностью дефектов не более , легированного мышьяком.

9.Окисление поверхности эпитаксиального слоя при 1000 в течение 40 мин в сухом кислороде для получения окисла толщиной (60 10) нм.

10.Фотолитография для вскрытия окон под разделительную (изолирующую) диффузию и окон под диффузионные резисторы на основе коллекторной области. Применять фоторезист ФН 102. Нанесение фоторезиста и сушку осуществлять на агрегате формирования фоторезистивных покрытий АФФ 2. Сушку проводить в течении 15 мин. Экспанирование проводить в установке экспанирования ЭМ-569. Время экспанирования 40 сек. Проявление проводить в течении 20сек и температурой растворителя 50. После проявки сушку проводить в два этапа: 30 мин при температуре 90 и 40 мин при температуре 200. Для травления слоя расположенного под фоторезистивной маской использовать травитель следующего состава: HF: =2:7:1.

11.Двухстадийная диффузия бора: осаждение на поверхность пластины боросиликатного стекла из газовой фазы, содержащей и , при 950, обработка боросиликатного стекла во влажном кислороде при 600 в течение 30 мин, снятие боросиликатного стекла в травителе HF: =1:10, разгонка при 1050 в течение 30 мин до толщины превышающей толщину эпитаксиального слоя.

12.Термическое окисление структур при 1050 в сухом (10мин), влажном (20мин), и снова в сухом (10мин) кислороде.

13.Фотолитография для вскрытия окон в окисле для проведения базовой диффузии над теми карманами, где будут формироваться транзистор и резистор на основе базового диффузионного слоя. Применять фоторезист ФН 102. Нанесение фоторезиста и сушку осуществлять на агрегате формирования фоторезистивных покрытий АФФ 2. Сушку проводить в течении 15 мин. Экспанирование проводить в установке экспанирования ЭМ-569. Время экспанирования 40 сек. Проявление проводить в течении 20сек и температурой растворителя 50. После проявки сушку проводить в два этапа: 30 мин при температуре 90 и 40 мин при температуре 200. Для травления слоя расположенного под фоторезистивной маской использовать травитель следующего состава: HF: =2:7:1.

14.Двухстадийная базовая диффузия примеси p-типа (бор). Загонку проводить в течении 20 мин при температуре 900. Одновременно формируется на базовых областях окисел толщиной 0,18…0,2 мкм и проводится разгонка 1ч при 1200.

15. Фотолитография для вскрытия окон в окисле над областями эмиттера транзистора и коллекторного контакта нижней обкладки конденсатора. Размер эмиттера 100мкм, точность совмещения фотошаблона не более 1мкм.

16.Диффузия фосфора для получения области эмиттера на глубину 1,3мкм. Осаждение проводить при температуре 960.

17.Фотолитография для вскрытия контактных окон в к резисторам, к нижней обкладке конденсатора и к областям транзистора.

18.Напыление пленки Al +(1%)Si толщиной (0,6 0,1) мкм, температура подложки 200, температура отжига 250.

19.Фотолитография по алюминию для формирования пленочной коммутации, верхней обкладки конденсатора и внешних контактных площадок. Клин травления и уход размеров не более 1мкм.

20.Осаждение изолирующего слоя окисла плазмохимическим способом при температуре 150 толщиной (1 0,1)мкм.

21.Фотолитография по пленке защитного диэлектрика для вскрытия окон к контактным площадкам микросхемы и дорожек для скрайбирования.

22.Скрайбирование пластин для разделения их на кристаллы. Операции контроля и разбраковка микросхем по электрическим параметрам и на функционирование на еще не разделенных на кристаллы пластинах (на негодные кристаллы ставится метка краской). Затем производится разделение пластин на кристаллы без потери их взаимной ориентировки. Операции монтажа и сборки в корпус.

Экономическая часть

В данной курсовой работе необходимо произвести расчёт себестоимости микросхемы К140УД6 и на его основе провести анализ полученных результатов, а также внести предложения по снижению себестоимости.

Себестоимость промышленной продукции - это текущие затраты предприятия на производство и реализацию продукции, выраженные в денежной форме. Этот показатель отражает все произведённые предприятием затраты живого и овеществлённого труда в виде расходов сырьевых, материальных, топливно-энергетических, трудовых и др. ресурсов.

Рассчитываем себестоимость по калькуляционным статьям расходов. Эта группировка определяет состав затрат в зависимости от направления расходов и места возникновения. Эта классификация позволяет определить себестоимость отдельных видов продукции, работ и услуг, а также оценивать влияние отдельных факторов на ее формирование и разработать план организационно-технических мероприятий по снижению себестоимости.

Общая величина затрат, связанных с производством и реализацией продукции (работ, услуг), называется себестоимостью, которая отражает величину текущих затрат, обеспечивающих процесс простого воспроизводства.

Себестоимость продукции является одной из важнейших экономических категорий. Ее уровень во многом определяет эффективность производственно-хозяйственной деятельности предприятия. Совокупность затрат оказывает решающее влияние на формирование всех финансовых показателей любого субъекта хозяйствования.

Себестоимость продукции в обобщенном виде представляет собой стоимостную оценку используемых в процессе ее производства и реализации природных, материальных, трудовых ресурсов, основных фондов и других затрат. Себестоимость отражает размер текущих затрат, имеющих производственный, некапитальный характер, обеспечивающих процесс простого воспроизводства на предприятии. Она является экономической формой возмещения потребляемых факторов производства.

Себестоимость продукции характеризует уровень использования всех ресурсов (переменного и постоянного капитала), находящихся в распоряжении предприятия.

Себестоимость находится по формуле 1

С = А + В/N, где (1)

С – техническая себестоимость.

А – текущие переменные затраты в рублях.

В – единовременные постоянные затраты в рублях.

N – программа выпуска изделий в штуках.

Для расчета переменных затрат (N) воспользуемся формулой 2.

A=Cм+Cз+Cнp где, (2)

См – затраты на материал.

Сз – затраты на зарплату основных рабочих.

Снр – накладные расходы на электроэнергию воду и ремонт.

Для нахождения стоимости материала для изготовления схемы К140УД6 воспользуемся таблицей 2.

Таблица 2 Стоимость материалов для изготовления схемы

Элемент	Обозначение	Стоимость в рублях	Производитель
Транзистор КТ315Б	VT1	4	Тайвань
Резистор	R1	6	Тайвань
Резистор	R2	6	Тайвань
Резистор	R3	20	Тайвань
Резистор	R4	20	Тайвань
Резистор	R5	38	Тайвань
Конденсатор	C1	100	Китай
Конденсатор	C2	5	Китай
Конденсатор	C3	20	Китай
Операционный усилитель	DA1	190	SIA “Micro-M”
Печатная плата	PCB	95	Россия

Итого См – затраты на материалы равно 504,00 рубля.

Для нахождения Сз допустим, что электромонтажник работая по тарифному плану получает 250,00 рублей в час. На изготовление микросхемы требуется 1 работник и 2 часа труда.

Затраты на зарплату работника при изготовлении микросхемы составляет:

250,00*2= 500,00 рублей

Отчисление в фонды с зарплаты составляют 27,2%. В итоге, получаем 136,00 рублей. Фонд оплаты труда составляет:

500+136=636 рублей (Cз)

При расчете Снр введем определение накладных расходов.

В состав накладных расходов включают:

затраты по обеспечению производства сырьем, материалами, топливом, энергией, инструментом, приспособлениями, другими средствами и предметами труда;

оплату труда вспомогательного производственного, младшего обслуживающего и среднего управленческого цехового персонала;

отчисления от оплаты труда;

затраты по поддержанию основных производственных фондов в рабочем состоянии (расходы на технический уход и ремонт);

сумму амортизации по производственным основным средствам или арендную плату за производственные основные средства, взятые в текущую аренду;

затраты по обеспечению противопожарной и сторожевой охраны;

затраты по обеспечению нормальных условий труда и технике безопасности;

командировочные расходы, связанные с производственной деятельностью;

затраты на гарантийное обслуживание и ремонт продукции;

прочие общепроизводственные затраты.

Необходимость отнесения накладных расходов на продукцию вызвана определенными причинами: с одной стороны это позволяет определять полные затраты на единицу продукта, так как игнорирование накладных расходов может привести к ошибкам в ценообразовании; с другой стороны - определение себестоимости запасов. В международных стандартах финансовой отчетности отмечено, что «себестоимость запасов должна включать все затраты на приобретение, переработку и прочие затраты, произведенные в целях доведения запасов до их текущего состояния и местоположения». Производственные накладные расходы относят к затратам, связанные с переработкой, а поэтому подлежат включению в себестоимость запасов.

Приведем основные накладные расходы.

Средний расход электроэнергии в сутки составляет 4,55 кВт, при стоимости 1 кВт=4 рубля. Итого за два часа работы будет израсходовано 4,55*4/24*4=3,00

Так же подходящая площадь кабинета работника составляет в 70м², а трафик по отоплению 1600/8 *2 = 400 рублей/гкал.

Накладные расходы на электроэнергию воду и ремонт:

3,00+400 = 403,00 (Снр)

По полученным данным, находим текущие переменные затраты в рублях (А).

А=504+636+403=1543 рубля – текущие переменные затраты на изготовление 1 микросхема.

Для нахождения одновременных постоянных затрат воспользуемся формулой 3.

В = Сн + Со, где (3)

В – единовременные постоянные затраты в рублях.

Сн – зарплата наладчиков оборудования в рублях.

Со – стоимость запускаемого оборудования