Биполярные транзисторы

Устройство и принцип действия биполярного транзистора

Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый при­бор, имеющий два электронно-дырочных перехода, образованных в одном монокристалле полупроводника. Эти переходы образуют в полупроводнике три области с различными типами электропроводности. Одна край­няя область называется эмиттером (Э), другая — коллектором (К), средняя — базой (Б). К каждой области припаивают металлические выводы для включения транзистора в электрическую цепь.

Электропроводность эмиттера и коллектора противоположна электро­проводности базы. В зависимости от порядка чередования р - и n -областей различают транзисторы со структурой р-n-р (рис. 7.3.1, а) и n-р-n (рис. 7.3.1, б).

Рис. 7.3.1 Структуры и условные графические обозначения биполярных транзисторов типа р-п-р (а) и п-р-п. (б)

Условные графические обозначения транзисторов р-n-р и n-р-n отличаются лишь направлением стрелки у электрода, обозна­чающего эмиттер. Принцип работы транзисторов р-n-р и n-р-n одина­ков, и в дальнейшем будем рассматривать лишь работу транзистора со структурой р-n-р. Электронно-дырочный переход, образованный эмиттером и базой, называется эмиттерным, а коллектором и базой — коллектор­ным.