Методы выращивания монокристаллов железоиттриевых и гадолиний галлиевых гранатов из расплавов

Темы рефератов по производственной практике группы ЭЛ-15-17

 

Раздел 1. Выращивание монокристаллов

Выращивание монокристаллических, поликристаллических и аморфных материалов для электроники. Основные классы материалов применяемых в современной микро- и наноэлектронике.

 

Раздел 2. Моделирование полупроводниковых приборов, тепловые режимы, технология микро- и наноэлектроники

Моделирование биполярных и МОП транзисторов. Оптроны. Контроль тепловых режимов полупроводниковых приборов. Измерение тепловых характеристик полупроводниковых приборов. Технологические операции в микроэлектронике

 

Консультант при подготовке рефератов раздела 1 доцент Холодный Д.С., по разделу 2 доцент Сутченков А.А.

 

По каждому реферату приводится основнгая литература, к которой имеется доступ либо в ЭБС Лань, либо в открытых (непиратских) источниках. Приветствуется, если студенты при подготовке реферата будут использовать литературу помимо основной.

 

Объем реферата 20-25 страниц через полтора интервала

 

 

Методы выращивания монокристаллов кремния

Рассмотрение методов выращивания монокристаллов из расплавов. Описание метода Чохральского, как основной технологии высокотемпературного синтеза монокристаллического кремния () в условиях промышленного производства. Роль тепловых экранов. Методы расчета тепловых полей при выращивании кристаллов. Основные уравнения, применяемые для расчета тепловых полей (остановится на уравнениях эллиптического типа).

Основная литература: [1-8].

 

Контроль тепловых режимов полупроводниковых приборов

Измерение температуры полупроводниковых приборов. Инфракрасная микроскопия. Методы с использованием жидких кристаллов. Методы на основе измерения электрических параметров. Измерение тепловых сопротивлений полупроводниковых приборов.

Основная литература: [17], стр. 381-389; [18], стр. 201-206; [19], стр. 146-164, 185-198

 

 

Методы выращивания монокристаллов карбида кремния (SiC)

Высокотемпературные вакуумные ростовые установки для промышленного производства объемных монокристаллов карбида кремния (SiC), основанные на сублимации поликристаллического порошка карбида кремния с последующей конденсацией пересыщенныхпаров на поверхности затравочного кристалла.

      Основная литература: [1-8], gkmp32.com.

 

Литографические процессы в микро- и наноэлектронике

Фоторезисты. Схема литографического процесса. Экспонирование. Ограничения оптической литографии. Виды литографических процессов. Иммерсионная литография, рентгеновская литография, экстремальная ультрафиолетовая литография.

Основная литература: [27], стр. 223-285

 

Теория роста кристаллов. Кинетика кристаллизации

Движущая сила кристаллизации. Гомогенное зарождение: основные представления. Термодинамика процессов гетерогенного зародышеобразования. Скорость гомогенного зародышеобразования. Кинетико-статистические модели зародышеобразовании. Морфология кристаллов. Характеристика поверхности кристалла

Основная литература: [1-9] и mineral.nsu.ru, gkmp32.com..

 

Моделирование МОП-транзисторов.

Основы работы, характеристики. Базовые модели МОП-транзистора.

Основная литература: [20], стр. 205-208, 216-231; [21], стр. 312-322; [22], стр.241-261

 

Методы выращивания монокристаллов железоиттриевых и гадолиний галлиевых гранатов  из расплавов

Рассмотрение методов выращивания монокристаллов из расплавов. Описание методов Чохральского и оптической зонной плавки, технологии синтеза искусственных гранатов (, ) применяемых в качестве лазерных кристаллов. Кристаллическая структура гранатов, полиэдры и возможные точечные группы симметрии позиций примесных ионов в случае двух-центрового замещения. Принципы выбора ионов основы (железа и галлия) при легировании гранатов ионами редкоземельных элементов от церия до лютеция на основе анализа ионных радиусов.

Основная литература: [1-9] и mineral.nsu.ru, gkmp32.com.