Технология производства силовых полупроводниковых приборов

Основные операции изготовления силовых полупроводниковых приборов (СПП). Сборка СПП. Технология производства кристаллов МОП и биполярных транзисторов с изолированным затвором.

Основная литература: [23], стр. 139-182.

 

Обработка кремниевых пластин

Изготовление монокристаллических кремниевых подложек. Формирование металлических проводников. Напыления тонких слоев титана Ti. Осаждения из паровой фазы толстых слоев вольфрама W. Формирования металлических межэлементных соединений.

Основная литература: [1-9] и др.

 

Оптроны

Устройство и принцип действия. Электрические характеристики. Резисторные, диодные и транзисторные оптопары.

Основная литература: [24], стр. 256-275

 

Методы легирования кремния

Получение монокристаллов n- или р-типа с требуемым удельным сопротивлением методом легирования исходного поликристаллического кремния или расплава. Основные методы легирования для создания электронных переходов. Загонка и разгонка, причины двухэтапного способа введения примесей. Атомы легирующих примесей в полупроводниках. Введение в загружаемый поликремний соответствующие элементы (Р, В, As,Sb и др.) или их сплавы (описать какие) с кремнием, для повышения точности легирования.

Основная литература: [1-9]  и др.

 

 

Переход от дискретных полупроводниковых приборов к интегральным микросхемам (ИМС)

 Основные преимущества  применения ИМС в микроэлектронике. Три обобщенных типа технологических операций в микроэлектронике. Основные требования, предъявляемые к проведению всех технологических операций.

Основная литература: [25], стр. 27-37; [26], стр. 19-25

 

Выращивание монокристаллов метода Бриджмена-Стокбаргера

Вертикальный вариант метода Бриджмена-Стокбаргера в  контейнере,  выходящем наружу из нагретой печи.  Возможность управлять скоростью кристаллизации. Достоинства и недостатки метода. Современные способы электронного управления роста кристаллов. Методы расчета тепловых полей для цилиндрической системы координат.

Основная литература:  [1-9] и mineral.nsu.ru, gkmp32.com.

Моделирование биполярных транзисторов

Основы работы, характеристики. Модель Эберса-Молла. Модель Гуммеля-Пуна. Моделирование биполярных транзисторов в режиме малого сигнала.

Основная литература: [20], стр. 158-175; [21], стр. 140-158, 178-182;

[22], стр. 218-257

15.   Удаление примесей в методе горизонтальной направленной кристаллизации

Возможность проведения многократной предростовой перекристаллизации материала, что способствует глубокой очистке кристаллизуемого вещества. Роль коэффициента сегрегации при росте кристаллов и при легировании. Требования к чистоте исходных шихтовых материалов. Испарение примесей, определение коэффициента летучести примеси.

Основная литература:  1-9] и mineral.nsu.ru, gkmp32.com.

 

Ионная имплантация в микроэлектронике

Теоретические основы ионного легирования. Техническая реализация ионной имплантации. Получение заданного профиля легирования.

Основная литература: [27], стр. 159-188

 

Выращивание кристаллов GaAs

Синтез монокристаллов арсенида галлия методами  направленной кристаллизации, зонной плавки и методом Чохральского. Выращивание кристаллов из расплавов стехиометрического состава (или близкого к нему). Методы выращивания из растворов и из паровой фазы.

Основная литература:  [1-9] и mineral.nsu.ru, gkmp32.com..