Типы биполярных транзисторов

1. Транзистор n-p-n-типа (рис.2)

В этом случае материал р-типа расположен между слоями материала n-типа,

Рисунок 2 – Структура и условное обозначение транзистора n-p-n-типа

2. Транзистор p-n-p-типа (рис.3)

В этом случае слой материала n-типа расположен между двумя слоями материала р-типа.

Рисунок 3 – Структура и условное обозначение транзистора p-n-p-типа

Устройство биполярного транзистора

У транзисторов обоих типов средняя область называется базой, а внешние области называются эмиттером и коллектором.

Названия «эмиттер» (инжектор, излучатель носителей заряда), «коллектор» (собиратель носителей) и «база» отвечают функциональному назначению этих частей биполярного транзистора.

Переход между эмиттером и базой называется эмиттерным, а между коллектором и базой – коллекторным.

Эмиттер является источником основных носителей заряда, поэтому эту область отличает высокая концентрация легирующей примеси.

Для того чтобы переходы взаимодействовали, толщина базовой прослойки между ними должна быть меньше диффузионной длины носителей заряда (т.е. меньше расстояния, которое проходит носитель заряда до рекомбинации) У современных приборов толщина базы имеет порядок единиц микрометров.

При переходе носителей зарядов из эмиттера в базу в последней начинается процесс рекомбинации, что негативно сказывается на величине тока. Чтобы уменьшить это влияние концентрацию легирующей примеси базы делают на два-три порядка меньше концентрации примесей в эмиттерной и коллекторной областях.