Почему транзистор переходит из крутой области в пологую?

          Если подано напряжение сток-исток, то через канал идет ток и поверхность канала уже не будет эквипотенциальной. Потенциал будет меняться вдоль канала, возрастая вблизи стока до величины . В крутой области увеличение напряжения будет вести к росту тока . Когда разность потенциалов между затвором и стоком станет равной напряжению отсечки , толщина канала вблизи стока станет равной нулю и возрастание тока прекратится. Но в отличие от случая, когда между затвором и истоком приложено напряжение отсечки, это не приводит к отсечке тока. Вместо отсечки тока происходит отсечка его приращений, т.е. насыщение тока и переход в пологую область ВАХ.

          Существенно, что при этом ОПЗ затвора перекрывает канал только на стоке. 

От чего зависит положение границы крутой и пологой областей?

Граница крутой и пологой областей – это напряжение насыщения,  т.е. напряжение сток-исток , при котором происходит перекрытие канала из-за увеличения толщины ОПЗ

р-n-перехода затвора.

Толщина ОПЗ перехода затвора зависит как от напряжения на затворе так и от напряжением на стоке .С ростом отрицательного напряжения на затворе уменьшается значение напряжения насыщения, т.к. с ростом напряжения затвора растёт ОПЗ перехода, канал становится тоньше и, соответственно, достаточно меньшего напряжения на стоке для перекрытия канала. Например, при и , а при .

МОП транзистор с индуцированным каналом

Структура МОП транзистора

S – sourse – исток,            D – drain – сток,

G – gate – затвор,             B – bulk – подложка,

d – толщина подзатворного диэлектрика.