Что называется удельной крутизной МОП транзистора?

       Без учета влияния подложки передаточные ВАХ, рис.1 и 2, приблизительно описываются квадратичными зависимостями тока стока от напряжения на затворе , для р-канального транзистора то же самое, только знаки напряжений , и тока  отрицательны.

Крутизной транзистора называется отношение приращений тока стока к вызвавшему его изменению напряжения на затворе:

Наклон зависимости крутизны от напряжения на затворе, величина

       и есть удельная крутизна,т. е. крутизна при

Таким образом, удельная крутизна уже не зависит от напряжений на электродах и определяется только размерами транзистора B и L, толщиной диэлектрика под затвором d  и подвижностью носителей в канале. 

5. Влияние подложки на ВАХ транзистора.

       Обычно МОП транзисторы работают без смещения подложки, т. е. исток транзистора соединяют с подложкой. Если же по каким-то причинам на исток попадает положительное напряжение , например при последоватнельном соединении транзисторов, то p-n -переход исток-подложка будет работать как дополнительный затвор в виде обратно смещенного p-n -перехода. Так называемый линейный коэффициент влияния подложки

показывает, во сколько раз напряжение на подложке слабее влияет на ток стока, чем напряжение на затворе .

       С учетом влияния подложки выражение для тока стока в пологой области приобретает вид:

       Напряжение на подложке относительно истока уменьшает ток стока, запирает канал        транзистора со стороны подложки.

       Удельная емкость подложки , где  толщина области обеднения в подложке. Чем больше концентрация NA  в подложке, тем больше CB  и больше величина . При сильном легировании подложки величина может достигать или даже превышать единицу, обычно же    = 0.3 – 0.5.