Задача 3
Задача 2
Задача 1
Примеры задач до темы лекции 12
Вопросы для самопроверки
1 Поясните классификацию усилителей на ИМС по их функциональному
назначению.
2 Какие требования предъявляются к построению усилителей в интегральном
исполнении?
3 Какие способы включения усилительных элементов применяются в
каскадах предварительного усиления в ИМС?
4 Поясните особенности построения мощных выходных каскадов ИМС.
5 Для чего в усилителях на ИМС применяются каскодные схемы?
6 Какие факторы ограничивают КПД усилителя класса D?
7 Какой тип модуляции применяется в усилителях класса D?
8 Укажите преимущества и недостатки мостовой схемы выходного каскада
усилителя класса D по сравнению с полумостовой.
9 В чем преимущество ШИМ по сравнению с ЧИМ?
10 Какая форма напряжения применяется в двухсторонней ШИМ?
11 Какая модуляция ШИМ применяется в мостовой схеме оконечного
усилителя класса D?
12 Какая модуляция ШИМ применяется в полумостовой схеме оконечного
|
|
каскада усилителя класса D?
13 При какой модуляции пульсация тока нагрузки наименьшая?
14 На какую мощность изготовляются усилители класса D?
Необходимо рассчитать все компоненты инвертирующей схемы ТОУ при
Е = +5 В, RH = 10 кОм, Кобр = 20, fн > 100 Гц, Uбэ = 0,7 В. Рекомендуемый по паспорту ТОУ зеркальный ток I3 = 5…100 мкА.
Решение:
1 С учетом рисунок 1.92 и нагрузочной способности предыдущего каскада
задаемся зеркальным током, например, выбираем I3 = 10 мкА.
2 Рассчитываем резистор R3
R3 = (Е - UБЭ) / I3,
R3 = (5 -0,7) / 10 ·10-6 = 430 кОм
Выбираем по ГОСТу R3 = 430 кОм.
Мощность резистора R3 равна
Р R3 = I32 · R3,
Р R3 = (10 ·10-6)2 ·430 103 = 0,4 10-4 Вт.
Выбираем стандартное значение R3 - С2-34- 0,125 -430 кОм ±0,5 %.
3 При Uвых = Е/2 рассчитываем Rос,
Rос = (UВЫХ0 - Uбэ) / Iз,
Rос = (2,5 – 0,7) / 10 10-6 =180 кОм
Выбираем по ГОСТу Rос = 180 кОм.
Мощность резистора Rос равна
Р Rос = I32 · Rос,
Р Rос = (10 ·10-6)2 ·180· 103 = 0,18· 10-4 Вт.
Выбираем стандартное значение Rос - С2-34- 0,125 -180 кОм ± 0,5 %
4 Определяем величину резистора R1,
R1 = Rос / Кос,
R1 = 180 · 103 / 20 = 9,0 кОм.
Выбираем по ГОСТу R1 = 9,1 кОм.
Мощность резистора R1 равна
Р R1 = I32 · R1,
Р R1 = (10 ·10-6)2 ·9· 103 = 0,091 · 10-4 Вт.
Выбираем стандартное значение R1 - С2-34- 0,125 -9,1 кОм ± 0,5 %
5 Определяем разделительную ёмкость для входной цепи С1
τ1 = С1 ·R1 = 1/ (2π·fн),
С1> 1 / 2·π· fн ·R1,
С1 > 1/ 2 ·3.14·100 ·9 103 = 0,15 мкФ.
Выбираем стандартное значение конденсатора С1 = 0,15 мкФ
К71- 4 – 0,15мкФ ± 2%.
6 Определяем аналогично разделительную ёмкость Свых,
τ2 = Свых ·Rн = 1/ (2π·fн),
Свых> 1 / 2·π· fн ·Rн,
Свых > 1/ 2 ·3.14·100 ·10·103 = 0,15 мкФ.
Выбираем стандартное значение конденсатора Свых = 0,15 мкФ
|
|
К71- 4 – 0,15мкФ ± 2%.
Определите коэффициент заполнения в широтно – импульсной модуляции, если частота следования прямоугольных импульсов f = 20 кГц, а длительность импульсов равна tи = 3 мкс.
Решение:
1 Определяем период следования импульсов
Т = 1 / f,
Т = 1 / 20 ·103 = 0,05 мс
2 Определяем коэффициент заполнения
γ = tи /Т,
γ = 3 ·10-6 / 50·10-6 = 0,06.
Скважность S импульсов можно регулировать двумя способами: либо изменением длительности импульса tи = 2 мс при постоянном периоде Т = 10 мс
(ШИМ), либо изменением периода Т при постоянстве длительности импульса tи (ЧИМ). Определите основные параметры импульсов.
Решение:
1 Определяем скважность импульсов
S = Т /tи,
S = 10 ·10-3 / 2 ·10-3 = 5
2 Определяем коэффициент заполнения
γ = tи /Т,
γ = 2 ·10-3 / 10·10-3 = 0,2
3 Определяем частоту первой гармоники f1
f1 = 1 / Т,
f1 = 1/ 10 10-3 = 100 Гц.
Получается спектр дискретный с расстоянием между гармониками составляет
∆f = 100 Гц.
1 Определите коэффициент заполнения в широтно – импульсной модуляции, если частота следования прямоугольных импульсов f = 40 кГц, а длительность импульсов равна tи = 5 мкс.
2 Скважность S импульсов можно регулировать двумя способами: либо изменением длительности импульса tи = 5 мкс при постоянном периоде
Т = 20 мкс (ШИМ), либо изменением периода Т при постоянстве длительности импульса tи (ЧИМ). Определите основные параметры импульсов.
3 Необходимо рассчитать все компоненты инвертирующей схемы ТОУ при
Е = +10 В, RH = 50 кОм, Кобр = 40, fн > 20 Гц, Uбэ = 0,7 В. Рекомендуемый по паспорту ТОУ зеркальный ток I3 = 10 мкА.