Влияние атакующего основания
Чем сильнее добавленное основание, тем больше скорость процесса.
Типичные основания для реакций Е2:
H2O, NR3, ˉOH, ˉOAc, ˉOR, ˉOAr, NH2ˉ, CO32-, LiAlH4, Iˉ, CNˉ.
Для препаративных целей пригодны только:
ˉOH/H2O, ˉOR/ROH, NH2ˉ/NH3 (т. е. основание в растворителе, являющемся сопряженной кислотой основания).
2) На тип реакции (элиминирование/замещение E/S)
а) При высокой концентрации сильного основания в неионизирующихся растворителях (основание десольватировано) более предпочтительны бимолекулярные механизмы, причем Е2 преобладает над SN2.
б) При низкой концентрации основания (или в его отсутствии) в ионизирующихся растворителях преобладают мономолекулярные механизмы, при этом SN1 превалирует над E1.
в) Использование сильных нуклеофилов, но слабых оснований (например, Iˉ) благоприятствует замещению.
г) Чем меньше основание ассоциировано в ионные пары, т. е. чем оно «свободнее», тем больше замещение S преобладает над элиминированием E.