Полупроводниковые диоды и триоды

(транзисторы)

В качестве примера рассмотрим точечный германиевый диод (рис. 31), в котором тонкая вольфрамовая проволока 1 прижимается к п -германию 2острием, покрытым алюминием. Если через диод в прямом направлении пропустить кратковременный импульс тока, то при этом резко повышается диффузия А1 в Gе и образуется слой германия, обогащенный алюминием и обладающий р -проводимосгыо. На границе этого сдоя образуется р - п -переход, обладающий высоким коэффициентом выпрямления. Благодаря малой емкости контактного слоя точечные диоды применяются в качеств детекторов (выпрямителей) высокочастотных колебаний вплоть до сантиметрового диапазона длин волн.

Рис. 31

Принципиальная схема плоскостного меднозакисного (купроксного) выпрямителя дана на рис. 32. На медную пластину с помощью химической обработки наращивается слой закиси меди Cu₂O, который покрывается слоем серебра. Серебряный электрод служит только для включения выпрямителя в цепь. Часть слоя Cu₂O, прилегающая к Cu и обогащенная ею, обладает электронной проводимостью, а часть слоя Cu₂O, прилегающая к Аg и обогащенная (в процессе изготовления выпрямителя) кислородом, - дырочной проводимостью. Таким образом, в толще закиси меди образуется запирающий слой с пропускным направлением тока от Cu₂O к Cu (р→п).

Рис. 32

Технология изготовления германиевого плоскостного диода описана в предыдущем параграфе (см. рис. 27). Распространенными являются также селеновые диоды и диоды на основе арсенида галлия и карбида кремния. Рассмотренные диоды обладают целым рядом преимуществ по сравнению с электронными лампами (малые габаритные размеры. высокие к. п. д. и срок службы, постоянная готовность к работе и т. д), но они очень чувствительны к температуре, поэтому интервал их рабочих температур ограничен (от – 70 до + 120°С). р-п Персходы' обладают не только прекрасными выпрямляющими свойствами, но могут быть использованы также для усиления, а если в схему ввести обратную связь, то и для генерирования электрических колебаний. Приборы, предназначенные для этих целей, получили название полупроводниковых триодов или транзисторов (первый транзистор создан в 1949 г. американскими физиками Д. Бардином, У. Браттейном и У. Шокли; Нобелевская премия 1956 г.).

Для изготовления транзисторов используются германий и кремний, так как они характеризуются большой механической прочностью, химической устойчивостью и большей, чем в других полупроводниках, подвижностью носителей тока. Полупроводниковые триоды делятся на точечные и плоскостные. Первые значительно усиливают напряжение, но их выходные мощности малы из-за опасности перегрева (например, верхний предел рабочей температуры точечного германиевого триода.лежит в пределах 50 – 80 °С). Плоскостные триоды являются более мощными. Они могут быть типа р-п-р и типа п-р-п в зависимости от чередования областей с различной проводимостью.

Для примера рассмотрим принцип работы плоскостного триода р-п-р, т. е. триода на основе п- полупроводника (рис. 33). Рабочие «элект роды» триода, которыми являются база (средняя часть транзистора), эмиттер и коллектор (прилегающие к базе с обеих сторон области с иным типом проводимости), включаются в схему с помощью невыпрямляющих контактов – металлических проводников. Между эмиттером и базой прикладывается постоянное смещающее напряжение в прямом направлении, а между базой н коллектором – постоянное смещающее напряжение в обратном направлении. Усиливаемое переменное напряжение подается на входное сопротивление R _вх, а усиленное – снимается с выходного сопротивления R _вых.

Рис. 33

Протекание тока в цепи эмиттера обусловлено в основном движением дырок (они являются основными носителями тока) и сопровождается их «впрыскиванием» – инжекцией – вобласть базы. Проникшие в базу дырки диффундируют по направлению к коллектору, причем при небольшой толщине базы значительная часть инжектированных дырок достигает коллектора. Здесь дырки захватываются полем, действующим внутри перехода (притягиваются к отрицательно заряженному коллектору), и изменяют ток коллектора. Следовательно, всякое изменение тока в цепи эмиттера вызывает изменение тока в цепи коллектора.

Прикладывая между эмиттером и базой переменное напряжение, получим в цепи коллектора переменный ток, а на выходном сопротивлении переменное напряжение. Величина усиления зависит от свойств р - п -переходов, нагрузочных сопротивлений и напряжения батареи Б_к. Обычно R _вых >> R _вх,поэтому U _вых значительно превышает входное напряжение U _вх (усиление может достигать 10 000). Так как мощность переменного тока, выделяемая в R _вых, может быть больше, чем расходуемая в цепи эмиттера, то транзистор дает и усиление мощности. Эта усиленная мощность появляется за счет источника тока, включенного в цепь коллектора.

Из рассмотренного следует, что транзистор, подобно электронной лампе, дает усиление и напряжения и мощности. Если в лампе анодный ток управляется напряжением на сетке, то в транзисторе ток коллектора, соответствующий анодному току лампы, управляется напряжением на базе.

Принцип работы транзистора п-р-п- типа аналогичен рассмотренному выше, но роль дырок играют электроны. Существуют и другие типы транзисторов, так же как и другие схемы их включения. Благодаря своим преимуществам перед электронными лампами (малые габаритные размеры, высокие к. п. д. и срок службы, отсутствие накаливаемого катода (поэтому потребление меньшей мощности), отсутствие необходимости в вакууме и т. д.) транзистор совершил революцию в области электронных средств связи и обеспечил создание быстродействующих ЭВМ с большим объемом памяти.