2014-02-02
5245
Контрольные вопросы
1) Дайте определение полупроводниковому диоду.
2) Приведите схемы диодов в прямом и обратном включении. Что такое прямой и обратный ток диода?
3) Нарисуйте вольтамперную характеристику диода.
4) Чему равно прямое напряжение кремниевого диода?
5) Приведите формулу аппроксимирующую характеристику диода.
6) Нарисуйте различные модели диода в открытом и закрытом состоянии.
7) При каком условии диод открывается?
8) Дайте определение ТКН диода. Чему он равен?
9) Приведите основные параметры диода.
10) Рассмотрите работу диода в динамическом режиме. Почему происходчт задержки при включении диода?
11) Укажите особенности выпрямительных и импульсных диодов
12) В чем состоят особенности диодов Шотки?
13) Что такое стабилитрон? Приведите характеристику стабилитрона и укажите ее особенности.
14) Нарисуйте схему включения стабилитрона
15) Что такое светодиод? Приведите схеиу включения светодиода.
16) Что такое фотодиод? Приведите характеристики фотодиода и схемы его включения.
17) Что такое оптрон. Приведите схемное изображение диодного оптрона.
Модуль № 2
4. БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР
Транзистор – полупроводниковый элемент с двумя p-n переходами и тремя выводами, который служит для усиления и переключения сигнала. Различают кремниевые и германиевые транзисторы. Они бывают n-p-n и p-n-p типа. На рис.4.1 показаны их условные обозначения и простейшие модели, отражающие структуру транзисторов.
Транзистор состоит из двух противоположно включенных p-n переходов, которые обладают одним общим n или p слоем. Вывод транзистора связанный с ним, называется базой (б). Два других вывода называются эмиттером (э) и коллектором (к). Диодная модель транзистора поясняет структуру включения переходов транзистора. Хотя эта схема не характеризует полностью функции транзистора, она дает возможность представить действующие в нем прямые и обратные напряжения. Обычно переход б-э смещен (включен) в прямом направлении, а переход б-к – в обратном.
В зависимости от того, какой вывод транзистора для переменного сигнала является общим, различают три схемы включения транзистора: с общим эмиттером (ОЭ), общим коллектором (ОК) и общей базой (ОБ). На рис.4.2 показаны три схемы включения для транзистора типа n-p-n. Схемы для p-n-p транзистора будут аналогичными. В этих схемах направление источников напряжений и токов будут противоположными, по сравнению со схемами для n-p-n транзистора. Для любой схемы включения транзистора, как для n-p-n так и p-n-p типа, справедливо соотношение для токов Iэ = Iб + Iк.
Усилительные свойства транзистора основаны на том, что малыми токами базы можно управлять относительно большими токами коллектора. При этом ток коллектора IК является кратным базовому току Iб. Их отношение 
- называется статическим коэффициентом усиления по току. Коэффициент усиления по току транзистора намного больше 1.
