Практическая часть

Практическая часть

Глубина залегания эмиттерного p-n перехода: X_je = 1*10^{- 6} м×

Глубина залегания коллекторного p-n перехода: X_jc =  2.7*10^{- 6} м×

Ширина базы: W_b = 1.7*10^{- 6} м

Коэффициент усиления транзистора: B_F=69.204

Время пролета носителей через базу: T_F= 9.138*10^-10 с

Граничная частота: f_T= 1.094*10⁹Гц

Для повышения коэффициента усиления, изменяем параметры технического процесса.

При изменении температуры

На Т₁=1025°С

X_je = 1.4*10^{- 6} м

X_jc = 2.5*10^{- 6} м

W_b = 1.1*10^{- 6} м

B_F=165.289

T_F= 3.826*10^-10 с

f_T= 2.614*10⁹Гц

на Т₂=1050°С

Xje = 1.4*10^{- 6} м

Xjc = 2*10^{- 6} м

W_b = 6*10^{- 7} м

B_F=555.556

T_F= 1.138*10^-10 с

f_T= 8.785*10⁹Гц

на Т₃=1170°С

Xje = 1*10^{- 6} м

Xjc = 2.8*10^{- 6} м

W_b = 1.8*10^{- 7} м

B_F=61.728

T_F= 1.025*10^-9 с

f_T= 9.761*10Гц

Вывод

В результате лабораторной работы было получено, что параметры транзистора зависят от температуры разгонки и загонки. Если уменьшать температуры Т1 и Т2, то ширина базы тоже уменьшается. Это приводит к увеличению коэффициента усиления и частоты. При уменьшении температуры Т3 ширина базы уменьшается.