Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования
«НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
«ВЫСШАЯ ШКОЛА ЭКОНОМИКИ»
Московский институт электроники и математики им А.Н. Тихонова
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №6
«Моделирование профиля примеси и параметров биполярного транзистора»
Выполнила: | |
Студентка группы МНКТ211 | |
Калачикова И.В. | |
Проверил: И. А. Харитонов |
Москва 2021
Теоретическая часть
Биполярный транзистор – это активный полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими p-n-переходами и тремя выводами. Работа биполярного транзистора обеспечивается носителями зарядов двух типов – электронов и дырок. Устройство биполярного транзистора показано схематически на рисунке 1.
Рисунок 1- Структуры биполярных транзисторов: а – p-n-p типа; б – n-p-n типа
Он представляет собой пластину полупроводникового материала, в которой созданы три чередующиеся области (слои) c различной электропроводностью. Для транзистора n-p-n-типа средняя область имеет дырочную электропроводность, а две крайние области – электронную. Для транзистора p-n-p-типа средняя область имеет электронную электропроводность, а две крайние области – дырочную. Средняя область транзистора называется базой (Б), одна крайняя область – эмиттером (Э), другая – коллектором (К). Таким образом, в транзисторе имеются два p-n-перехода: эмиттерный – между эмиттером и базой и коллекторный – между коллектором и базой. Как правило, эмиттер является наиболее сильно легированной областью. Область базы должна быть очень тонкой. Это является условием хорошей работы транзистора. К каждой области припаивают металлические выводы для включения транзистора в электрическую цепь.
Таким образом, эмиттером следует называть область транзистора, назначением которой является инжекция носителей заряда в базу; коллектором – область, назначением которой является экстракция носителей заряда из базы. Базой является область, в которую инжектируются эмиттером неосновные для этой области носители заряда.
Исходные данные: