Фотолитография

Процессы легирования, а также наращивания слоёв различных материалов призваны сформировать вертикальную физическую структуру ИМС. Необходимые форма и размеры элементов и областей в каждом слое структуры обеспечиваются процессом фотолитографии.

Фотолитография - процесс избирательного травления поверхностного слоя с использованием защитной фотомаски.

На рис. приведена укрупнённая структурная схема процесса фотолитографии. Отдельные этапы на схеме включают в себя несколько операций. Ниже в качестве примера приведено описание основных операций при избирательном травлении оксида кремния (SiO₂), которое используется многократно и имеет целью создание окон под избирательное легирование, а также контактных окон.

Таблица 3. Формы приконтактных областей полупроводниковых резисторов и номограммы для определения коэффициента k.

Топология приконтактных областей полупроводниковых резисторов	Номограммы для определения коэффициента k.

Рис. Укрупненная схема процесса фотолитографии.

Подготовка поверхности к нанесению фотослоя заключается в её обработке парами органического растворителя для растворения жировых плёнок, которые препятствуют последующему сцеплению фоторезиста с поверхностью. Отмывка сверхчистой (деионизованой) водой удаляет следы растворителя; а также микрочастицы, способные впоследствии образовать "проколы" в тонком (»1 мкм) слое фоторезиста.