Пленочные ИМС

Пленочная интегральная микросхема - это ИМС, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в виде пленок, нанесенных на поверхность диэлектрического материала.

Пленочные интегральные микросхемы состоят из изоляционной подложки, на которую наносят тонкопленочные резисторы, конденсаторы, индуктивности, токопроводящие перемычки и контактные площадки.

В пленочных интегральных микросхемах все элементы и межсоединения выполняют в виде пленок, нанесенных на поверхность диэлектрического материала - стекла, керамики или полиамидного вещества. Для уменьшения отвода тепла от элементов мощных микросхем используют керамику с высокой теплопроводностью или анодированный алюминий. В последнем случае изоляцией служит тонкая пленка окисла

В пленочной ИМС все элементы и межэлементные соединения выполнены только в виде пленок. К вариантами пленочных ИМС относятся тонко- и толстопленочные ИМС. К тонкопленочным условно относятся ИМС с толщиной пленок до 1 мкм, а к толстопленочным свыше 1 мкм.
В толстопленочных ИС в качестве диэлектрика применяют специальные пасты.

Пленочные катушки индуктивности выполняют в виде круглой или квадратной спирали из проводящего материала.

Площадь, занимаемая спиралью, составляет 1 см2, значение индуктивности не превышает 10 мкГн. В тех случаях, когда требуется применение катушек индуктивности с большей индуктивностью, используют миниатюрные кольцевые катушки индуктивности с ферритовыми сердечниками. Во многих случаях вместо катушек индуктивности применяют специальные транзисторные схемы на основе гираторов, эквивалентные индуктивностям.

В качестве навесных активных компонентов в ГИС применяют бескорпусные диоды, транзисторы и полупроводниковые ИС, которые по способу их установки в микросхему подразделяются на две группы: приборы с гибкими выводами и приборы с жесткими выводами. Компоненты с гибкими выводами имеют выводы из золотой проволоки диаметром 2,5 мкм и длиной 0,6...5,0 мм. Такие компоненты приклеиваются к подложке, а гибкие выводы соединяются с пленочными контактными площадками. Существенным недостатком таких конструкций является невозможность автоматизировать этот процесс. Поэтому в современных ИС используют активные компоненты с жесткими выводами. Установка таких транзисторов осуществляется методом перевернутого кристалла, при котором происходит непосредственное соединение сферических выводов с контактными площадками. Монтаж осуществляется посредством ультразвуковой или термокомпрессионной сварки.