Рис. 9.3
Рис.9.2
Рис. 9.1
На рис. 9.1., в показан принцип устройства емкостного преобразователя для измерения толщины ленты из диэлектрика. Испытуемая лента 1 протягивается с помощью роликов 2 между обкладками 3 конденсатора. Если длину зазора между обкладками конденсатора обозначить 6, площадь обкладок 5, толщину ленты δ я и ее диэлектрическую проницаемость ел, то емкость-С можно выразить как
С = S/ (δ-δл)/ε + δл/εл.
На рис. 9.1., г показан принцип устройства емкостных преобразователей с переменной площадью пластин, используемых для измерения угла поворота вала. Пластина 1, жестко скрепленная с валом, перемещается относительно пластины 2 так, что длина зазора между ними сохраняется неизменной. Достоинством емкостных преобразователей с переменной площадью пластин является возможность соответствующим выбором формы подвижной 1 и неподвижной 2 пластин получить заданную функциональную зависимость между изменением емкости и входным угловым или линейным перемещением. Преобразователи с переменной площадью применяются для измерения перемещений, больших 1 мм.
Для измерения малых перемещений (10-6 — 10-3) получили применение преобразователи с переменным зазором. Принцип устройства подобного дифференциального преобразователя изображен на рис. 9.1., д. Обкладка 2 закреплена на пружинах и перемещается поступательно под воздействием измеряемой силы F. Обкладки 1 и 3 неподвижны. Емкость между обкладками 2 и 3 увеличивается, а между обкладками 1 и 2 — уменьшается.
На рис. 9.2 показана конструкция одной половины дифференциального емкостного преобразователя, используемого в качестве преобразователя неравновесия в датчике уравновешивания. Подвижная пластина 1 крепится к корпусу 2 на растяжках 3, жесткость которых при перемещении в направлении оси X — X очень мала. При действии силы F подвижная пластина перемещается ду подвижной и неподвижной пластинами изменяется. Обе пластины тщательно изолированы от корпуса специальными прокладками 4 и стеклянными «слезками» 5.
На рис. 9.3. представлена конструкция высокочувствительного емкостного датчика давления, предназначенного для работы в области низких температур. Основными узлами датчика являются корпус 1, выполненный совместно с мембраной 2, пробка 7, припаиваемая к корпусу через каналы 8 серебряным припоем, и фланец 3. Корпус и фланец изготовляются из берилловой бронзы, пробка — из красной меди. Измеряемое давление «подается» через капилляр 9 в пробке в надмембранную камеру. К выступу мембраны через изолирующую пленку прикреплена подвижная пластина 4 емкостного преобразователя. Неподвижная пластина 5 загоняется во фланец в виде конусной пробки, обернутой изолирующей пленкой. Таким образом, обе пластины изолированы относительно корпуса. Сопрягающиеся плоскости корпуса и фланца обрабатываются совместно с электродами емкостного преобразователя после закрепления электродов на мембране и во фланце. Благодаря такой обработке зазор между электродами обеспечивается прокладкой 6, имеющей толщину 15—20 мкм. Диаметр электродов около 10 мм. Изменение зазора при номинальном давлении Д6 = 8 мкм. Емкость преобразователя Со = 30 пФ.
Как видно из приведенных примеров, область применения емкостных преобразователей весьма разнообразна, однако наиболее широко они используются для измерения малых перемещений и величин, легко преобразуемых в перемещение, например давлений.
При современной технологии изготовления датчиков начальный зазор может быть доведен до 5—10 мкм и порог чувствительности по перемещению оценивается значениями порядка 10-14 м.. Огромным достоинством емкостного элемента является также принципиальное отсутствие шумов в отличие от резистивных и индуктивных элементов и отсутствие самонагрева. Все это приводит к тому, что в настоящее время в качестве наиболее высокочувствительных преобразователей в научных исследованиях используются емкостные преобразователи. Наблюдается также тенденция к применению емкостных преобразователей для всех измерений, проводимых в области сверхнизких температур.
Ёмкости большинства преобразователей составляют 10-100 пФ, и поэтому даже при относительно высоких частотах напряжения питания (105—107Гц) их выходные сопротивления велики и равны Ом. Выходные мощности емкостных преобразователей малы, и в измерительных цепях необходимо применение усилителей. Допустимые значения напряжения питания емкостных преобразователей достаточно велики, и напряжение питания, как правило, ограничивается не возможностями преобразователя, а условиями реализации измерительной цепи.
Основной трудностью построения измерительных цепей с емкостными преобразователями является защита их от наводок. Для этих целей как сами преобразователи, так и все соединительные линии тщательно экранируются. Однако экранированный провод имеет емкость Сж.э между жилой и экраном (С~50 пФ/м), которая при неудачном выборе точки присоединения экрана может оказаться включенной параллельно емкости преобразователя. При этом падает чувствительность преобразователя, так как относительное изменение емкости уменьшается на величину, и появляется весьма существенная по значению погрешность, вызываемая нестабильностью емкости Сж.э., поскольку любые изменения этой емкости воспринимаются как изменение рабочей емкости ∆Co. Поэтому при построении измерительной цепи с емкостными преобразователями в первую очередь обращается внимание на включение так называемых паразиты емкостей.
Кроме этого, следует обращать внимание на линейность зависимости выходного параметра измерительной цепи от измеряемой величины, имея в виду, что емкостные преобразователи являются преобразователями высокоомными, а измеряемая величина может быть связана линейной зависимостью как с сопротивлением преобразователя (при изменении зазора δ), так и с его проводимостью (при изменении площади S или диэлектрической проницаемости).
Для работы с емкостными преобразователями применяют и измерительные цепи, в основу которых положены различные структуры-делители напряжении, измерительные мосты, емкостно-диодные цепи, резонаторы.
Очень часто в состав современных измерительных цепей включают также операционные усилители (ОУ).
На рис. 10.1 показана схема цепи с ОУ, построенная по принципу делители напряжения. В данном случае. Как видим, с помощью такой цепи удобно преобразовывать в напряжение изменение зазора между обкладками конденсатора С2 () или изменение площади конденсатора С1 ().
В обоих случаях зависимость выходного напряжения от измеряемой величины будет линейной.
В схеме 10.1 емкости экранированных проводов Сэ1, Сэ2, Сэ3 практически не влияют на работу измерительного устройства. Это объясняется тем, что емкости Сэ1 и Сэ3 включены параллельно источнику сигнала U~ и ОУ, имеющим низкие выходные сопротивления. Емкость же Сэ2 включена параллельно входам ОУ, и напряжение на ней близко к нулю.
Дифференциальные емкостные преобразователи включаются преимущественно в мостовые измерительные цепи. На рис. 10.2 даны примеры таких цепей, содержащих мосты с индуктивно-связанными плечами.
Выходной сигнал в цепи (рис.10.2а) подан на вход повторителя напряжения, выполненного на ОУ. Если принять, что напряжение на каждой половине вторичной обмотки трансформатора равно U~, выходное напряжение равно
Емкости Сэ1 и Сэ3 экранированных проводов, соединяющих датчик с трансформатором, включены параллельно полуобмоткам трансформаторов и роли не играют. Для уменьшения влияния емкости экранированного провода, соединяющего датчик с усилителем, приценяется схема эквипотенциальной защиты. Для этой гели используется провод с двойным экраном. Наружный экран присоединяется к земле, а внутренний к выходу повторителя напряжения. Ток с центрального проводника на внутренний экран отсутствует, так как равны между собой напряжения в точках а и б относительно земли. Ток между внутренним и внешним экраном не сказывается на работе устройства, поскольку нагружает низкоомный выход повторителя напряжения.
Необходимость в двух экранах отпадает при подсоединении хода моста к инвертирующему входу ОУ (рис. 10.2б). Поскольку потенциал на этом входе усилителя весьма близок к нулю, то ток между проводом, подсоединенным к этому входу, и окружающим его экраном будет практически равен нулю. Для цепи (рис. 10.2б) верно соотношение
На рис. 10.2б показана модификация мостовой цепи при емкостном токосъеме с подвижной пластины. Экраны и паразитные емкости на схеме рис. 10.2в и на последующих схемах не показаны с целью упрощения рисунков.
Обозначим емкости между неподвижными и подвижной пластинами индексом, соответствующим номеру неподвижной пластины.
Рисунок 10.2
В плечо моста входят емкости С1+С5 и С2+С6. Через емкость C3+С4 подключена вершина измерительной диагонали моста к выходу ОУ. В результате выходное напряжение Uвых определится формулой:
(10.1)
При перемещении пластины в направлении, указанном стрелкой, емкость С1+C5 увеличивается, емкость С2+С6 уменьшается, а емкость токосъема С3+С4 остается почти неизменной, так как емкость С3 увеличивается, а емкость С4, уменьшается.
В схеме, приведенной на рис. 10.2г, показано, как с помощью охранных электродов улучшить характеристики емкостных преобразователей. Здесь емкостные преобразователи образованы пластинами 1, 4 и 2, 6. Пластины же 3, 5, 7 служат охранными электродами, Поскольку пластины 4 и 6 присоединены к инвертирующему входу ОУ, то напряжение на них весьма близко к нулю. Поэтому поле между пластинами 1 и 3, 4, 5, а также между пластинами 2 и 5, 6, 7 будет практически однородным. Благодаря этому исключается влияние краевого эффекта на работу преобразователей (краевые искажения поля теперь будут наблюдаться между пластинами 1. 2 и 3, 5, 7).
Общим недостатком схем, приведенных на рис. 10.1 и 10.2, является то, что они могут быть рекомендованы только для датчиков, у которых все пластины изолированы от корпуса, что иногда бывает трудно реализовать конструктивно. При заземлении одной из пластин (обычно общей подвижной пластины) желательно элементы измерительной цепи располагать в одном корпусе с датчиком, например так, как показано на рис. 10.3а.
Рисунок 10.3
Тогда провода, идущие к вершинам а и б, могут быть без экранов, а емкость Сж.э. провода, подходящего к вершине в, подключается параллельно источнику питания. В аналогичной цепи (рис. 10.3б) использован недифференциальный усилитель, что стало возможным благодаря предварительному выпрямлению с разными знаками переменных напряжений, присутствующих на вершинах выходной диагонали моста.
На рис. 10.4 представлена емкостно-диодная измерительная цепь дифференциального датчика с заземленной пластиной. Емкости датчика C1 и С2 подсоединены к источнику переменного напряжения с помощью четырех диодов и двух дополнительных конденсаторов С3. В каждом полупериоде переменного напряжения открывается соответствующая пара диодов (Д1, Д4 или Д2, ДЗ). При этом каждый из конденсаторов С3 соединяется последовательно то с емкостью C1, то с емкостью C2. При неравенстве емкостей С1 и С2 токи через конденсаторы С3, текущие в положительном и отрицательном направлениях, будут не равны между собой. Вследствие этого на конденсаторах С3 появится постоянное напряжение, которое и является выходным. Если пренебречь падениями напряжения на диодах, то значение Uвых определится приближенным соотношением:
(10.2)
Нестабильность выходного напряжения определяется неидентичностью падения напряжения на диодах, поэтому диоды должны
Рисунок 10.4
тщательно подбираться. Чтобы избежать шунтирования емкостей датчика паразитными емкостями, диодная сборка помещается в корпусе датчика. Неравенство паразитных емкостей проводов, подходящих к точкам а и б, приводит к изменению переменной составляющей напряжения на выходе; на постоянную составляющую напряжения эти емкости не влияют.
Рисунок 10.5
Возможный вариант цепи (рис. 10.4а), предназначенный для телеизмерений, показан на рис. 10.4б. Здесь по одному коаксиальному кабелю передается переменное напряжение U~ от источника на датчик и постоянное напряжение Uвых - с датчика. Внутри датчика монтируются четыре диода, конденсатор С3 и резистор R1. Показанные на схеме (рис. 10.4б) значения параметров элементов рассчитаны на частоту питающего напряжения, примерно равную 1 МГц.
На рис. 10.5 приведены измерительные цепи с резонансными контурами. Цепи питаются от источников со стабильной частотой ω0.
Три изменении емкости С преобразователя (рис. 10.5а) сопротивление контура изменяется по резонансной кривой (рис. 10.5б) и при достигает максимума.
На склонах резонансной кривой может быть выбран участок, более или менее приближающийся к линейному. Пренебрегая сопротивлением R2 по сравнению с сопротивлениями ωL и R1 полагая,,,, напряжении на контуре можно выразить соотношением
(10.3)
Зависимости представлены на рисунке 10.5б.