Методы улучшения ключевых свойств транзисторов
1. уменьшить входную емкость для уменьшения времени ее заряда;
2. уменьшить толщину базы, чтобы заряды проходили через нее быстрее;
3. уменьшить накопленный в базе заряд для уменьшения времени рассасывания неосновных носителей
4. уменьшить время рассасывания можно, увеличивая скорость зарядов, проходящих по базе, т.е. использовать дрейфовый транзистор;
5. уменьшить емкость коллекторного перехода, сопротивления коллектора и базы.
Достоинства ключа на ПТ:
· отсутствие накопления и рассасывания зарядов;
· более простое управление ключом (нет напряжения смещения)
Недостатки ключа на ПТ:
· значительная входная емкость (между затвором и каналом);
· значительное время пролета носителей заряда по каналу (необходимо уменьшать длину канала).