Вольтамперная характеристика реального p-n перехода

Влияние ширины запрещенной зоны, температуры и концентрации примесей на ВАХ р-n перехода

Туннельный пробой обусловлен прямым переходом элек­тронов из валентной зоны одного полупроводника в зону проводимости другого

Лавинный пробой возникает вследствие лавинного размножения носителей заряда

Тепловой пробой обусловлен значительным ростом ко­личества носителей зарядов в p-n переходе за счет нару­шения теплового режима

U_p-n = U_пр – I_пр×r_p,n