2014-02-24
1095
Обратный ток коллекторного перехода
Обратный ток коллектора транзистора, включенного по схеме с общей базой, рассматривается как ток обратносмещенного реального диода со всеми его составляющими. Напомним, что температура удвоения составляет приблизительно 10 °С как для германиевых, так и для кремниевых приборов.
Подводя итог, мы можем скорректировать входные и выходные ВАХ. Кривые эмиттерных характеристик (рис. 5.8) образуют плотный пучок (малая величина 
). Зависимость коэффициента обратной связи от напряжения на коллекторе приводит к тому, что с ростом 
плотность семейства растет. В целом эффект Эрли смещает кривые относительно начальной 
влево и вверх. С ростом температуры семейство смещается влево, а с уменьшением – вправо. У кремниевых транзисторов все семейство сдвинуто вправо на 0,3...0,4 В.
Выходные характеристики показаны на рис. 5.9. С ростом температуры все семейство смещается вверх на величину роста обратного тока коллектора 
. Напряжение лавинного пробоя коллекторного перехода – 
. 
– допустимая мощность рассеяния на коллекторе транзистора. Если мощность на коллекторе превышает допустимую, то начинается тепловой пробой коллекторного перехода (см. тему "Пробой p - n -перехода").
Отличием от идеальных ВАХ является изменение наклона кривых из-за конечного значения и зависимости 
от режима: с ростом сопротивление падает (угол наклона кривых растет). Таким образом ток коллектора зависит от . Мы можем уточнить выражение тока коллектора:
,
где 
– собственный ток коллектора. Последний член выражения для тока учитывается только при работе на переменном токе. При приближенных расчетах обратным током коллектора, как и собственным током коллектора, можно пренебречь. При приближении коллекторного напряжения к наблюдается лавинный пробой.
Зависимость 
от тока эмиттера выражена в том, что при одинаковом приращении тока эмиттера расстояние между кривыми уменьшается.
