2014-02-09
713
Переползание дислокации вызывает деформацию кристаллов. Когда атомы уходят с кромки экстраплоскости, происходит местное сжатие, а когда «осаждаются» на этой кромке, — местное растяжение кристалла. «Прорастание» экстраплоскости внутрь кристалла (перемещение положительной дислокации вниз или отрицательной вверх) приводит к изгибу кристалла. Приложенные сжимающие напряжения стремятся уменьшить экстраплоскость, а растягивающие способствуют ее росту.
Выше рассматривались идеализированные случаи отделения цепочки атомов вдоль всей кромки экстраплоскости или присоединения ряда атомов к экстраплоскости одновременно по всей ее длине, в результате чего дислокация целиком и одновременно переползает в соседнюю параллельную плоскость скольжения. В действительности же перенос массы к кромке экстраплоскости или от нее происходит путем миграции отдельных вакансий (межузельных атомов) или небольших их комплексов, и дислокация переползает в новую плоскость скольжения не одновременно по всей своей длине, а по частям (рис. 28, а, б). Например, когда комплекс вакансий «осядет» на кромке экстраплоскости, здесь образуются две ступеньки (пороги) дислокации (рис. 28, а).
|
|
|
Такой процесс образования порогов — термически активируемый[1]. В условиях термодинамического равновесия при данной температуре Т число порогов на единице длины дислокации где Еп — энергия образования порога (1 эВ для порога высотой в одно межатомное расстояние); п о — число атомов на единице длины дислокации.
Переползание дислокации состоит в зарождении порогов и движении их вдоль линии дислокации. Когда, например, к образовавшемуся порогу присоединяется вакансия, порог смещается вдоль кромки экстраплоскости (см. также § 36).
Энергия активации переползания
Если на дислокации уже имеется большое число порогов, например в результате пересечения с другими дислокациями (см. гл. V), то Е = E д.
