Флэш-память

Память с электрическим стиранием

Репрограммируемая память

Репрограммируемая память (EPROM – Erasable PROM) аналогична OTPRO, но допускает стирание информации и повторное программирование. Стирание информации в памяти осуществляется с помощью интенсивного ультрафиолетового излучения. Корпуса таких микросхем имеют специальные окна, закрытые кварцевым стеклом, через которые излучение попадает на кристалл. Число циклов стирания и программирования EPROM относительно небольшое (20…100).

Стоимость контроллеров с EPROM относительно велика и изделия с такой памятью рекомендуется использовать только на стадии проектирования или при изготовлении относительно малых (опытных) партий изделий.

Память с электрическим стиранием (EEPROM – Electrically EPROM) программируется пользователем и может многократно стираться. Стирание и повторное программирование EEPROM осуществляется по отдельным ячейкам (побайтно), что позволяет вносить в разработанные программы даже небольшие коррективы. Число циклов стирания и программирования допускаемых EEPROM, обычно порядка 10000. Для реализации технологии необходимо относительно высокое напряжение программирования в пределах 10…20 В, которое подается на кристалл извне или формируется на кристалле встроенным преобразователем напряжения (генератор накачки).

Контроллеры с EEPROM относительно дешевы (по сравнению с EPROM), но емкость такой памяти ограничена из-за сложности ячеек. Кристаллы с такой памятью программ применяются довольно редко, только в относительно простых системах на стадиях проектирования и серийного производства.

Флэш-память (Flash memory) относится к классу EEPROM, но использует особую технологию построения запоминающих ячеек. В отличие от EEPROM, она может стираться только целиком, либо достаточно большими блоками. Возможность перезаписи отдельных ячеек памяти отсутствует. Кристаллы с флэш-памятью всегда содержат встроенные генераторы накачки и при соответствующей аппаратной и программной поддержке позволяют реализовывать режим «программирования в системе» - программирование без извлечения микроконтроллера из изделия. Необходимость использования программатора в этом случае отпадает.

Современные технологии изготовления Flash Memory обеспечивают гарантированное число циклов стирания/записи до 1000…10000, рок хранения до 10 лет.

Флэш-память программ микроконтроллера может быть переписана самим микроконтроллером. Для организации этого режима в структуре памяти предусматривается специальный раздел начальной загрузки, где располагается специальная программа.