Память с электрическим стиранием

Статическая память

Память данных

Память программ микроконтроллера 8051 (пзу).

У микроконтроллеров семейства 8051, память программ и память данных являются самостоятельными и независимыми друг от друга устройствами, адресуемыми различными командами и управляющими сигналами.

Объем встроенной памяти программ, расположенной на кристалле микроконтроллера 8051 и 8751, равен 4 Кбайт. При обращении к внешней памяти программ все микроконтроллеры семейства 8051 всегда используют 16-разрадный адрес, что обеспечивает им доступ к 64 Кбайт ПЗУ. Микроконтроллер обращается к программной памяти при чтении кода операции и операндов (используя счетчик команд PC), а также при выполнении команд переноса байта из памяти программ в аккумулятор. При выполнении команд переноса данных адресация ячейки памяти программ, из которой будут прочитаны данные, может осуществляться с использованием как счетчика PC, так и специального двухбайтового регистра-указателя данных DPTR.

Память данных предназначена для хранения результатов вычислений в процессе работы микроконтроллера. Она организована, как и память программ, в виде множества ячеек, каждая из которых имеет свой адрес. В процессе работы микроконтроллер обращается к ячейкам памяти данных при выполнении команд загрузки (чтения) и записи. Память данных микроконтроллера может быть двух типов: SRAM и EEPROM.

Статическая память (SRAM – Static Random Access Memory) энергозависима. Она обеспечивает хранение информации только при наличии напряжения питания не менее определенной величины (1…3 В). Некоторые микроконтроллеры при данном напряжении не работают, но данные в памяти сохраняются. Для обеспечения длительной сохранности данных в такой системе необходим резервный источник (аккумулятор или батарея), подключающийся при отключении основного. Отдельные микроконтроллеры, например МК DS50000 фирмы Dallas Semiconductor, даже имеют в своем корпусе автономный источник резервного питания, обеспечивающий сохранение данных в течении нескольких лет.

Каждая ячейка статической памяти в микроконтроллере имеет свой адрес. Некоторые ячейки могут иметь специальное назначение.

Память данных типа EEPROM может быть включена в общее пространство памяти данных или организована в виде отдельного массива с возможностью считывания и записи каждого отдельного байта. В отличие от SRAM она допускает только ограниченное (порядка 100000) циклов перезаписи. Время записи в EEPROM значительно больше, чем время записи в статическую память.

Содержимое EEPROM может быть разрушено при снижении питания в процессе записи. Разрушение данных EEPROM, происходит по двум причинам. Во-первых, для операций записи необходимо, чтобы напряжение питания было не ниже определенного уровня, гарантирующего правильное их выполнение. Во-вторых, само ядро микроконтроллера при слишком низком напряжении питания, может неправильно выполнять команды. Защита EEPROM от разрушения при снижении питания в контроллерах решается как программными, так и аппаратными средствами.