Рассмотрим контакт металл-полупроводник. Допустим, что имеется контакт между металлом и невырожденным электронным полупроводником. Если уровень Ферми изолированного металла Fм лежит ниже уровня Ферми полупроводника Fп, т.е. Φм>Φп (рис. 4.14), то в момент соприкосновения поток электронов из полупроводника превышает поток электронов из металла. В результате металл в области контакта приобретает отрицательный заряд, а полупроводник – положительный и возникшее между контактирующими образцами электрическое поле будет препятствовать переходу электронов из полупроводника в металл. Направленный поток электронов будет происходить, пока уровни Ферми в системе не выравнятся (рис. 4.11, а) и установится равновесие, характеризующееся равенством токов Jп.п.0 = Jм.
Рис. 4.14 | |
Рис. 4.11 Контакт металл-электронный полупроводник в случае Φм>Φп (а) и Φм<Φп (б) | |
Рис. 4.12 Контакт металл-дырочный полупроводник в случае Φм>Φп (а) и Φм<Φп (б) |
При этом между металлом и полупроводником возникнет контактная разность потенциалов и соответствующее ей электрическое поле, препятствующее переходу электронов из полупроводника. Величина контактной разности потенциалов φк. равна:
|
|
. | (4.30) |
Толщина слоя объемного заряда в случае термодинамического равновесия определяется соотношением
. | (4.32) |
Толщина объемного заряда в металле не превышает 10-8-10-7 см, а в полупроводнике может составлять 10-4 см. Контактная разность потенциалов практически полностью приходится на приконтактную область полупроводника, благодаря этому полю происходит искривление зон в приконтактной области. Таким образом, когда Φм>Φп в электронном полупроводнике возникает слой с пониженной удельной проводимостью (обогащенный неосновными носителями заряда). Такой слой называют запорным. У дырочного полупроводника в этом же случае (Φм>Φп) возникает слой с повышенной удельной электропроводностью. Такой слой называют антизапорным.
Если работа выхода из полупроводника больше работы выхода из металла, т.е. Φм<Φп, электронный полупроводник заряжается отрицательно, возникает антизапорный слой, в дырочном полупроводнике - запорный слой.
При сильном обогащении приконтактной области неосновными носителями заряда происходит инверия типа проводимости, возникает физический p-n-переход.
У собственного полупроводника как при Φм>Φп, так и при и Φм<Φп искривление зон сопровождается повышением удельной проводимости в приконтактной области (рис. 4.13).
Рис. 4.13 Контакт металл-дырочный полупроводник в случае Φм>Φп (а) и Φм<Φп (б) |
|
|