ВАХ транзистора с ОЭ

Входная характеристика – I_б=f(U_бэ).

Входная ВАХ:

1.При U_кэ=0, входная ВАХ ОЭ, совпадает с ВАХ p-n-перехода.

2.При возрастании U_кэ, входная ВАХ смещается вправо, это связано с падением напряжения I_k на эмиттерном переходе.

Выходная ВАХ:

1) Выходная ВАХ целиком расположена в первом квадранте, так как U_кэ=U_кб+U_бэ.

2) Наклон на пологой части графиков значительно сильнее, чем для схем с ОБ.

1) - коэффициент передачи тока базы.

α=0,9 - β=9

α=0,99 - β=99

α=0,999 - β=999

2) - тепловой ток КП в схеме с ОЭ

Отличия ОЭ от ОБ.

1.За счёт того, что U_кэ=U_кб+U_бэ, ВАХ по сравнению с предыдущим случаем смещаются вправо.

2.Наклон рассматриваемых характеристик значительно больше чем прежде. Это связано с тем, что U_бэ, зависит от R_ээ.

3.При U_кэ>U_кэmax, происходит пробой коллекторного перехода, причём, U_кэmax(ОЭ) < U_кбmax(ОБ).

4.При I_б=0, I_кэ=I_ко^*>>I_ко