Пленочные ИС

В этих изделиях отдельные элементы и межэлементные соединения выполняются на поверхности диэлектрика, в качестве которого обычно берут керамику. Используется технология нанесения пленок из соответствующих материалов. В зависимости от вида наносимой пленки принято различать тонкопленочные и толстопленочные ИС. В первом случае толщина пленок не превышает 1 мкм. Пленки наносят путем вакуумного испарения, химического осаждения, катодного распыления и т.д. Удается создать резисторы сопротивлением от 10 Ом до 1 МОм, конденсаторы емкостью от 0,1 пФ до 20 нФ, катушки индуктивности с номиналом до 2 мкГн, а также тонкопленочные транзисторы, аналогичные МОП-приборам, в которых в качестве полупроводника используется сернистый кадмий (CdS). Толщина пленки толстопленочных ИС колеблется от 15 до 45 мкм. Такие пленки получают с помощью шелкотрафаретной технологии, нанося нужный рисунок специальной краской. Удается получить резисторы сопротивлением от 10 Ом до 1 МОм, конденсаторы емкостью до 8 нФ, катушки индуктивностью до 4,5 мкГн, а также различные соединительные проводники. Активных элементов с помощью данной технологии не создают. Разработаны способы подгонки номиналов элементов, входящих в состав пленочных ИС.