Пленочные резисторы

Структура резистора гибридной микросхемы показана на рис. 4, а (1 – резистивный слой, 2 – подложка, 3 – металлические контакты). В зависимости от требуемого сопротивления резистор может иметь конфигурацию полоски (рис. 4, б), параллельных полосок с металлическими перемычками (рис. 4, в) либо меандра (рис. 4, г).

Тонкопленочные резистивные слои из нихрома толщиной менее 0,1 мкм наносят вакуумным испарением и обеспечивают R _сл до 300 Ом/ð, ТКС = (0,01 %)/°С. Сопротивление слоя до нескольких килоом на квадрат при ТКС ≤ (0,02 %)/°С имеют пленки тантала, получаемые катодным распылением. Большим R _сл (до 10 кОм/ð) обладают тонкие пленки резистивных сплавов, например кремния и хрома в различных процентных соотношениях. Еще больше R _сл (до 50 кОм/ð) имеют пленки керметов – смесей диэлектрического материала с металлом (например, SiO и Сr), их ТКС порядка – (0,2 %)/°С. Технологический разброс сопротивлений тонкопленочных резисторов в разных микросхемах около 5%, а отношение сопротивлений резисторов на одной подложке выдерживается с точностью 0,1 %. Их максимальное сопротивление (до 1 МОм) больше, а ТКС, технологический разброс и паразитная емкость существенно меньше, чем у полупроводниковых резисторов.

Тонкопленочные резисторы применяются не только в гибридных, но и в некоторых полупроводниковых микросхемах, в частности аналоговых диапазона СВЧ на арсениде галлия. Резистивный слой в них наносят непосредственно на поверхность нелегированной подложки.

б) г)

Рис. 4