Задача 9. Имеется идеальный МОП-конденсатор с кремниевой подложкой p-типа и концентрацией Na=1015см–3

Имеется идеальный МОП-конденсатор с кремниевой подложкой p -типа и концентрацией N_a= 10¹⁵см^–3. Диэлектрический слой SiO₂ имеет толщину 100 нм. Алюминиевый затвор характеризуется параметром Ф_мп = –0,9 В. Плотность заряда на границе раздела Кл/см². Вычислите максимальную толщину обедненной области W_max, емкость, обусловленную диэлектриком, заряд в обедненной области (Q_s = Q_B), пороговое напряжение, минимальную емкость, а также пороговое напряжение с учетом влияния напряжения плоских зон.

Решение:

B;

мкм;

Ф/см²;

Кл/см²;

В.

При таком пороговом напряжении

Ф/см²;

Ф/см²;