Порядок выполнения работы. 1. На лабораторном стенде собрать схему для снятия вольт - амперных характеристик биполярного транзистора

1. На лабораторном стенде собрать схему для снятия вольт - амперных характеристик биполярного транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером (см. рис. 9.5).

Рисунок 9.5 – Схема для снятия вольт-амперных характеристик биполярного транзистора

2. Снять семейство входных характеристик транзистора Iб = f(Uбэ) при Uкэ = 0В; +2В; +5В;+10В;

3. Снять семейство выходных характеристик транзистора Iк = f(Uкэ) при Iб = 0;50;100;150;200 [мкА]

4. Экспериментальным путем определить Н-параметры транзистора в заданной точке покоя. Для этого установить заданные значения тока базы I_б и напряжения коллектор-эмиттер U_кэ, измерить ток коллектора I_к и напряжение база-эмиттер U_бэ. Занести полученные значения в первую строку таблицы 9.1.

Таблица 9.1- Данные для определения h-параметров.

5. Дать приращение Eк. Установить с помощью резистора R_б значение тока базы, полученное в п. 4, снять показания приборов, заполнить вторую строку таблицы 9.1.

6. Установить с помощью резистора R_к значение напряжения Uкэ, полученное в п. 4, а затем дать приращение току базы I_б. Снять показания приборов и заполнить третью строку таблицы 9.1.

7. Определить приращения DIб, DUбэ, DUкэ, DIк и рассчитать h- параметры транзистора по результатам измерений в пунктах 4, 5, 6.