2015-02-27
256
1. Установите ток накала нити лампы в пределах 3 -3,5 А.
2. Снимите вольтамперную характеристику фоторезистора 
меняя напряжение с помощью потенциометра через каждые 5 В. При этом 
(задается преподавателем). Данные измерений занесите в таблицу 1.
Таблица 1.
| № пп | l=const | U, В | I, мкА |
| 1. | |||
| 2. | |||
| 3. | |||
| 4. | |||
| 5. |
3. Освещая фоторезистор светом различной длины волны, снимите зависимость 
, при этом 
(Uа - задается преподавателем). Отсчеты снимайте через 25 нм в интервале от 300 до 900 нм. Данные измерений занесите в таблицу 2.
Таблица 2.
| № пп | Ua=const | λ, нм | I, мкА |
| 1. | |||
| 2. | |||
| 3. | |||
| 4. | |||
| 5. | |||
| 6. | |||
| 7. | |||
| 8. |
Полученные результаты изобразите графически.
4. По графику определите 
- длину волны, к которой фоторезистор наиболее чувствителен.
5. По формуле 
оцените ширину запрещенной зоны сернистого кадмия.
Контрольные вопросы
|
|
|
1. Чем объясняется увеличение проводимости полупроводников при их освещении?
2. Почему при 
не выполняется заметный фотоэффект?
3. Что такое экситоны?
4. Как изменяется фотопроводимость полупроводников с изменением температуры?
