Оборудование для механической обработки полупроводниковых материалов»

- Кристаллографическая решетка кремния (основного материала в микроэлектронике) относится к структуре типа алмаза и обладает анизотропией. Поэтому перед резкой слитков на пластины важно знать расположение основных кристаллографических плоскостей

- оборудование для кристаллографической ориентации слитков

В процессе выращивания п/п монокристалла затравка ориентируется так, чтобы плоскость (111) была параллельно поверхности расплава, из которого выращивается монокристалл, но все же плоскость торца слитка не всегда оказывается строго параллельно плоскости (111)

Причина - неточность ориентации, неточность закрепления затравки в державке, из-за несовершенства самой механической системы для вытягивания слитка.

Для напоминания:

Главные плоскости кубического кристалла и индексы Миллера

По диагонали

(111)

(100) (110)

(010) (101)

(001) (011)

Марка кремния, например, 15гр. БкэфЗЮ/0,16

15 - номер группы, Б - бесотигельный, К - кремний, Э - электронный,, Ф - фосфор, 3 - золото, 10 - номинал уд. сопротивления (Ом*см), 0,16 время жизни неравновесных носителей заряда.

Для получения пластин, ориентированных на заданной плоскости, производят ориентацию слитков, определяют расположение основных кристаллографических плоскостей. Это очень важно: от этого зависит скорость, травления дефектность, и как следствие пониженные напряжения пробоя, большие токи утечки.