Схема ионного распыления

1 - катод- мишень

2 - подложка

3 - анод

Катод-мишень, анод и подложки размещены в рабочей камере, в которой первоначально создается вакуум 10^-3 – 10^-4 Па. Затем в камеру напускается инертный газ (аргон) до давления 1 - 10² Па. При подаче на электроды напряжения 1 - 5 кВ электроны с катода - мишени устремляются в сторону анода, ионизируя инертный газ, в результате чего возникает тлеющий разряд и образуется плазма. Положительные ионы плазмы, ускоряясь, устремляются к катоду-мишени, бомбардируют и распыляют ее. Атомы напыляемого материала устремляются к подложкам, расположенным на аноде, и оседают на них тонкой пленкой.

При изготовлении металлизации контролируют качество напыленной пленки металла, прочность покрытия, толщину пленки, удельное поверхностное сопротивление.

Тема: Общие сведения о технологии сборочных работ.

Урок