2015-02-14
238
| Основы ЭВГ. | ||
| Микроскопы. | ||
| Общая характеристика полупроводникового производства. | ||
| Требования, предъявляемые к полупроводниковым пластинам. | ||
| Резка слитков на пластины. Шлифовка и полировка. | ||
| Виды загрязнений. Обезжиривание. | ||
| Травление. Очистка в H2O. | ||
| Общие сведения об эпитаксии. | ||
| Хлоридный метод эпитаксии. | ||
| Силановый метод эпитаксии. | ||
| Термическое окисление. | ||
| Осаждение пленок SiO2. | ||
| Осаждение пленок нитрида кремния. | ||
| Фотолитография. Назначение основных операций. | ||
| Подготовка поверхности подложки. Нанесение фоторезиста. Сушка фоторезиста. | ||
| Совмещение и экспонирование. | ||
| Проявление фоторезиста. Задубливание фоторезиста. | ||
| Травление технологического слоя. Удаление фоторезиста. | ||
| Изготовление фотошаблонов. | ||
| Диффузия. Механизмы и виды. Диффузия из бесконечного и ограниченного источников. | ||
| Двухстадийная диффузия. | ||
| Способы проведения диффузии. | ||
| Механизм ионного легирования. Схема установки ионного легирования. | ||
| Основные параметры ионного легирования. Особенности ионного легирования. | ||
| Общие сведения о вакууме, ионизации газа, плазме. | ||
| Плазмохимическое осаждение SiO2 | ||
| Плазмохимическое травление. Плазмохимическое удаление фоторезиста. | ||
| Общие сведения о металлизации | ||
| Термическое испарение в вакууме. Ионное распыление. | ||
| Разделение пластин на кристаллы. | ||
| Методы сборки. | ||
| Этапы сборки. | ||
| Испытания. Заключительные операции. | ||
| Список рекомендуемой литературы |
|
|
|
