2015-02-14
1449
Как видно по схеме входным электродом является эмиттер, а выходным коллектор. Поэтому 
это 
, а выхода 
; входным током является ток эмиттера 
, а выходным – ток коллектора 
.
Поскольку 
, то выходной ток почти равен входному, так что схема ОБ практически не усиливает ток, а усиливает только напряжение и во столько же раз мощность сигнала.
Выходные характеристики транзистора включенного по схеме с ОБ (рисунок 27), представляют собой зависимость тока коллектора от напряжения коллектор – база при постоянном токе эмиттера, поэтому их называют коллекторными.
а) выходные характеристики б) входные характеристики
Рисунок 27
|
При , ток коллектора равен обратному току коллекторного перехода 
, поэтому выходная характеристика, снятая при 
представляет собой обратную ветвь ВАХ p – n – перехода.
Характеристики, снятые при постоянных значениях 
располагаются тем выше, чем больше , причем они выходят не из начала координат. Это объясняется тем, что при 
на коллекторном переходе действует потенциальный барьер 
, создающий ускоряющее поле для неосновных носителей заряда, инжектированных в базу из эмиттера. Поэтому они переносятся электрическим полем из базы в коллектор и создают ток , не равный нулю. Они тем больше чем больше . Характеристики идут очень полого и ток 
не зависит от изменений напряжения коллектора. Это говорит о том, что выходное сопротивление в схеме ОБ очень велико:
|
|
|
, (сотни тысяч Ом и более; 
)
При увеличении коллекторного напряжения выше максимально допустимого возникает опасность электрического пробоя коллекторного перехода, который может перейти в тепловой пробой.
Входные характеристики транзистора включенного по схеме с ОБ, представляют собой 
(рисунок 27, б). Эти характеристики называются эмиттерными.
При отсутствии коллекторного напряжения 
включен только эмиттерный переход в прямом направлении и характеристика соответствует прямой ветви ВАХ p – n перехода.
Этим объясняется очень малое входное сопротивление в схеме с ОБ.
, (единицы и десятки Ом).
При большем значении величины 
входная характеристика немного сдвигается влево вверх. Это происходит из–за влияния обратного напряжения на коллекторный переход, а следовательно на толщину базы. С увеличением , т.е. 
расширяется за счет базовой области. Перепад концентрации инжектированных носителей заряда в базе увеличивается, возрастает процесс диффузии их от эмиттерного перехода, а следовательно и инжекция из эмиттера.
