Концентрация электронов и дырок в примесном полупроводнике

Уравнение (1.14) справедливо только для равновесных носителей заряда, то есть в отсутствие внешних воздействий. В наших обозначениях

(1.16)

Пусть полупроводник легирован донорами с концентрацией N_D. При комнатной температуре в большинстве полупроводников все доноры ионизованы, так как энергии активации доноров составляют всего несколько сотых электронвольта. Тогда для донорного полупроводника

(1.17)

Рис. 1.7. Зонная диаграмма полупроводника n-типа

Концентрацию дырок в донорном полупроводнике найдем из (1.16):

(1.18)

Соответственно если полупроводник легирован акцепторами с концентрацией N_A, то

(1.19)

Рис. 1.8. Зонная диаграмма полупроводника p-типа