2015-02-15
1111
Уравнение (1.14) справедливо только для равновесных носителей заряда, то есть в отсутствие внешних воздействий. В наших обозначениях
(1.16)
Пусть полупроводник легирован донорами с концентрацией ND. При комнатной температуре в большинстве полупроводников все доноры ионизованы, так как энергии активации доноров составляют всего несколько сотых электронвольта. Тогда для донорного полупроводника
(1.17)
Рис. 1.7. Зонная диаграмма полупроводника n-типа
Концентрацию дырок в донорном полупроводнике найдем из (1.16):
(1.18)
Соответственно если полупроводник легирован акцепторами с концентрацией NA, то
(1.19)
Рис. 1.8. Зонная диаграмма полупроводника p-типа
