2015-02-15
463
Как уже отмечалось, при прямом смещении ток диода инжекционный, большой по величине и представляет собой диффузионную компоненту тока основных носителей. При обратном смещении ток диода маленький по величине и представляет собой дрейфовую компоненту тока неосновных носителей. Зависимость тока от напряжения определяется соотношением: 
.
Для несимметричного p-n+ перехода N A << N D концентрация неосновных носителей в p -области существенно выше, чем в n -области n p0 >> p n0. Обратный ток в этом случае обусловлен дрейфовой электронной компонентой 
, поскольку 
.
Обратный ток диода в этом случае будет 
.
Вблизи комнатной температуры Т к при ее небольших отклонениях можно записать: 
, тогда температурная зависимость тока преобразуется к следующему виду:
. (4.20)
Величина коэффициента a для различных полупроводников будет следующей: для германия a Ge = 0,09 град-1 до T = 700, для кремния a Si = 0,13 град-1 до Т = 1200.
В практических случаях используют понятие температуры удвоения обратного тока диода. Соотношение (4.20) преобразуется к следующей форме, при этом
|
|
|
, (4.21)
где 
– температура удвоения тока, величина этой температуры будет равна:
T * = 10; 8; 7; 5, при значениях a = 0,07; 0,03; 0,1; 0,13.
Из соотношения (4.21) и значения температуры удвоения тока T * = 10 следует простое правило: обратный ток диода удваивается при увеличении температуры на каждые 10ºС.
Рис. 4.8. Вольт-амперные характеристики диода ГД107
а) при прямом смещении б) при обратном смещении в) температурная зависимость прямого тока диода
