Исследование входной цепи каскада

Для определения сквозного коэффициента передачи напряжения U2/EГ необходимо найти отношение U1/EГ, т.е. исследовать входную цепь ступени. Для этого предварительно определим ее входную проводимость, расположенную вправо от штриховой линии рис.4.1.

.

Используя входную цепь полевого транзистора, приведенную в разделе 2, запишем: или

,

где -

комплексные Y -параметры входной цепи полевого транзистора при включении с общим истоком, - коэффициент передачи напряжения выходной цепи.

Поскольку максимален в области средних частот, то в выражение YВХ обычно подставляют его наибольшее значение- Ко, тогда:

.

Вводится понятие входной динамической емкости каскада . (4.6)

Используя (4.6), найдем коэффициент передачи входной цепи каскада: , которая приведена на рис.4.5

 
 


Исследование проводят, как и выходной цепи, в трех частотных диапазонах. В области низких частот полагают, что сопротивление входной динамической емкости существенно больше сопротивления параллельно включенных резисторов делителя R 1, R 2, и поэтому из схемы рис.4.5 Свх(g) можно исключить. Сравнивая схемы рис.4.5 и рис.4.3а, заключаем, что топология их одинакова, если генератор напряжения c внутренним сопротивлением RГ, рис.4.5, заменить эквивалентным генератором тока. Ввиду этого комплексный коэффициент передачи входной цепи в области низких частот записывается в форме, аналогичной (4.2):

, (4.6)

где - коэффициент ослабления сигнала в области средних частот,

- постоянная входной цепи в области низких частот.

В области средних частот полагают, что сопротивление конденсатора СР существенно меньше, а конденсатора С ВХ(д) существенно больше сопротивлений базового делителя. При этом схемы рисунков 4.3.б и 4.5 будут одинаковыми, поэтому в области средних частот:

В области высоких частот учитывают емкость С ВХ(g), а конденсатор С Р как и в области средних частот исключают, положив его сопротивление равным нулю. Тогда схемы рис.4.5 и рис. 4.3. имеют одинаковую топологию, следовательно:

, (4.7)

где -

постоянная входной цепи в области высоких частот, gr, g 1, g 2 – проводимости источника сигнала и токового делителя. Сравнивая выражения и KU для входной и выходной цепи каскада в трех частотных диапазонах, приходим к заключению, что характер частотных и фазовых искажений сигнала в этих цепях одинаковый.

Очевидно, что если входная и выходная цепи резисторного каскада вызывают частотные искажения сигнала в области низких и высоких частот, то частотные искажения сигнала, определяемые сквозным коэффициентом передачи, будут больше по сравнению с искажениями во входной и выходной цепи.

Сквозные комплексные коэффициенты передачи напряжения каскада на полевом транзисторе, частотная и фазовая характеристики в области низких, средних и высоких частот, записываются на основании выражений, приведенных в гл2. В этой главе показано, что сквозная частотная характеристика каскада равна произведению частотных характеристик входной и выходной цепей, а результирующая фазовая определяется суммой фазовых характеристик этих цепей.

Поэтому:

(4.8)

сквозной комплексный коэффициент передачи для области низких, средних и высоких частот, его частотная и фазовая характеристики.

Резисторный каскад с биполярным транзистором

Исследуем резисторный каскад с биполярным транзистором, принципиальная схема которого приведена на рис.4.6. Сравнивая схемы рис.4.1 и 4.6, видим, что структура их одинаковая. При отсутствии специальных соображений следует выбирать исходное положение рабочей точки, которое указывается в справочнике. Следует, однако иметь в виду, что более низкому положению рабочей точки соответствует несколько меньшая крутизна, а при смещении в сторону меньших напряжений на коллекторе увеличивается емкость CКБ, что приводит к уменьшению верхней граничной частоты.

Рис.4.6

Сопротивление коллектора RK находится из соотношения RK~ (EП-U20)/I20, если учесть, что сопротивление эмиттера обычно удовлетворяет условию RЭ =(0,1-0,15) RK. При этом обеспечивается малое падение постоянного напряжения на резисторе RЭ по сравнению с напряжением на резисторе RK .

Напряжение на резисторе R2:

UR2=U10+(I20+I10)RЭ~U10+I20RЭ,

поскольку стационарный ток базы I 10 обычно существенно меньше стационарного тока коллектора I20.

В разделе 4.7 показано, что напряжение U10 в каскадах на кремниевых биполярных транзисторах малой и средней мощности слабо зависит от величины тока I20 и составляет примерно 0,65-0,7 В. Таким образом, напряжение UR2 = U10 +(0,1-0,15) (EП-U20).

Для термостабилизации тока коллектора I20 величина постоянного тока в резисторе R2 должна составлять(5-7) I10, тогда:

R2=UR2 /(5-7)I10,

где I10~I20/B, B- статический коэффициент усиления тока транзистора приближенно равный дифференциальному коэффициенту h21(э). При выполнении указанного выше соотношения напряжение на резисторе UR2 практически не будет зависеть от температуры транзистора и будет способствовать стабилизации тока I20, поскольку в каскаде присутствует последовательная обратная связь по постоянному току (см также раздел 4.7).

Номинал резистора R1 определяется из очевидного соотношения: R1=(ЕП-UR2)/(6-8)I10.

 
 
 


О
I20
I 10
α0
 
I2
 

U 20
U 2
Е П

 
 
Рис.4.7


 
U1
 
 
 
 
Рис.4.7
Входная ВАХ
U10
 
Выходные вольтамперные характеристики транзистора VT1 с линией нагрузки постоянному току приведены на рис.4.7. Угол α0= arctg I20/(ЕП-U20) определяется величиной суммы сопротивлений R-= RK+RЭ.

Исследование каскада начнем с выходной цепи, для чего изобразим её эквивалентную схему рис.4.8.


 

αα


Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:  



double arrow
Сейчас читают про: