Соберите схему для изучения свойств резистора, включенного в цепь синусоидально изменяющегося тока, которая изображена на рис. 4.1.
Запустите процесс моделирования. С помощью двойных щелчков ЛКМ получите расширенные изображения ваттметра и осциллографа. Настройте осциллограф так, чтобы на экране его расширенного изображения появились две синусоидально изменяющиеся кривые. Рекомендуемые параметры настройки осциллографа: развертка по горизонтали – 10 мс / дел.; развертка по вертикали: канал А – 100 В / дел.; канал В – 20 мВ / дел.
Рис. 4.1. Схема для исследования резистора в цепи синусоидально изменяющегося тока
Результаты моделирования занесите в табл. 4.1.
Таблица 4.1
Результаты исследования резистора в цепи синусоидального тока
Задано |
Измерено |
Вычислено |
||
E, B |
I,A |
P, Вт |
cos? |
?, о |
|
|
|
|
|
Вычислите ток в цепи, активную, реактивную и полную мощность резистора. Сравните результаты вычислений и моделирования. Начертите векторную диаграмму напряжения на резисторе и тока через него на комплексной плоскости.