Обобщенная структурная схема радиогенератора

Основные характеристики радиогенераторов.

Устройства, предназначенные для генерирования гармонических переменных токов радиочастот, называются радио-генераторами или генераторами радиочастот. Они по – существу представляют собой преобразователи одного вида энергии в другой, т.к. для создания токов частот им требуется энергия другого вида (механическая, электрическая переменного тока промышленной частоты или постоянного тока и т.д.)

1. f_раб или ∆f_раб. Для радиогенераторов: 10¹²÷10³ Гц. Различают РГ с фиксированной частотой; с плавной перестройкой, с дискретной сеткой частот.

2. Р_н – выходная мощность:

РГ очень малой Р_н<3 Вт;

малой Р_н от 3 Вт до 100 Вт;

средней Р_н от 100 Вт до 3 кВт;

мощные РГ от 3 кВт до 100 кВт;

сверхмощные РГ > 100 кВт.

3. возможность управления колебаниями:

если изменение непрерывное – модуляция;

если изменение дискретное – манипуляция;

если управление дискретное во времени – импульсная модуляция, модуляция по поляризации.

NON – немодулированные колебания,

A1A – телеграф Морзе,

A2B – фототелеграф,

R3E – с 1 боковой и ослабленной несущей,

B8E – с двумя независимыми боковыми полосами

A3C – факсимильная связь,

C3F – с частично подавленной боковой полосой (телевидение)

F3F – ЧМ телевизионные сигналы (спутник)

В зависимости от ∆f/f_нес различают:

Узкополосные ∆f/f_нес < 0,001 (используются контурные резонансные системы);

Широкополосные ∆f/f_нес > 0,1 (апериодические цепи).

4. технико-экономические параметры: КПД, надежность, помехозащищенность, стоимость и т.д.

Обобщенная структурная схема радиогенератора

М – модулятор

УБС – устройства блокировки и сигнализации.

Активные элементы генераторов и их характеристики.

1. электронно-вакуумный диод (ЭВ диод).

E`0- начало линейного участка

2. ЭВ триод

i_а(е_а,е_с).

- проницаемость.

e_а = const e_с = const

внутреннее сопротивление:

R_i·S·D=1

выделяют 4 режима:

недонапряженный режим (I)

3. участок насыщения – II;

4. сильное увеличение i_c и уменьшение i_a – IV/

I – недонапряженный режим;

II – критический режим;

IV – перенапряженный режим

ЛГР – L

3. ЭВ тетрод.

, ,

Изменение е_а мало влияет на характеристику.

Изменение е_с сильно влияет на характеристику.

I, II – недонапряженный режим;

III – переходной;

IV – перенапряженный режим по первой сетке;

V - перенапряженный режим по первой и второй сеткам.

4. ЭВ пентод

пентод отличается малой проходной емкостью

по сравнению с триодом S_кр больше

5.биполярные транзисторы

режимы те же, что и у ламп

5. полевой транзистор