2015-03-20
231
1. Собрать схему для исследования ВАХ транзистора 
(из таблицы заданий), в соответствии с рис. 60. Построить семейство из пяти выходных характеристик полевого транзистора при фиксированных значениях напряжений на затворе (
), выбранных из диапазона от 0 до 5 В. Для р-канальных транзисторов изменить полярность источников напряжения. По выходным характеристикам построить управляющую характеристику при напряжении сток-исток (
) равном напряжению насыщения. Рассчитать крутизну транзистора.
2. Собрать схему, в соотвествии с рис. 62, для исследования МДП-транзистора 
(из таблицы заданий) с индуцированным каналом. Построить семейство из пяти выходных характеристик транзистора при фиксированных значениях напряжений на подложке (
), выбранных из диапазона от 0 до 5 В. По выходным характеристикам определить пороговое напряжение.
3. Составить отчет.
Таблица 8
