Задание на лабораторную работу №8

№ варианта                    
Транзистор VT1 2N4856 2N4857 2N4858 2N4859 2N4860 2N4861 2N5452 2N5454 2N5433 2N5432
Транзистор VT2 BST100 BST110 BST120 BST122 IRF5210 IRF5305 IRF7404 IRF9530 IRFI5210 IRFI5305
№ варианта                    
Транзистор VT1 2N2608 2N2609 2N4381 2N5018 2N5019 2N5020 2N5021 2N5114 2N5115 2N5116
Транзистор VT2 IRF230N IRF540N BS170 IRF1310 IRF250 IRF510 IRF540 IRF520 IRF830 IRF840

Контрольные вопросы

1. Основные отличия полевых транзисторов от биполярных.

2. Преимущества полевых транзисторов.

3. Устройство полевого транзистора с р-n переходом.

4. Основные процессы в полевых транзисторах.

5. Способы управления током в полевых транзисторах.

6. Отличие полевых и канальных транзисторов.

7. Устройство МДП-транзисторов.

8. Отличие МДП- и МОП-транзисторов.

9. Отличительные признаки МДП-транзисторов с индуцированным и встроенным каналом.

10. Режимы работы МДП-транзисторов.

11. Принцип действия МДП-транзисторов.

12. Роль подложки в МДП-транзисторах.

13. Пороговое напряжение и напряжение отсечки.

14. Схемы включения полевых транзисторов.

15. Изоляция рабочих областей МДП-транзисторов от подложки.

16. Управление МДП-транзистором через подложку.

17. Разновидности МДП-транзисторов.


Лабораторная работа № 6.

Исследование транзисторных усилительных схем


Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:  



double arrow
Сейчас читают про: