Йъпмсгйс ьменеофпч йну

чП ЙЪВЕЦБОЙЕ ЛПТПФЛПЗП ЪБНЩЛБОЙС ЬМЕНЕОФЩ йну ЙЪПМЙТХАФУС ДТХЗ ПФ ДТХЗБ. уРПУПВ ЙЪПМСГЙЙ йну ДЕМЙФУС ОБ ФТЙ ЧЙДБ:

Б) У РПНПЭША ДПРПМОЙФЕМШОЩИ ПВТБФОП УНЕЭЕООЩИ p-n РЕТЕИПДПЧ НЕЦДХ ЬМЕНЕОФБНЙ. йУРПМШЪХЕФУС Ч УИЕНБИ РП РМБОБТОПК ФЕИОПМПЗЙЙ.

оБ ЧЩУПЛППНОХА РМБУФЙОХ p-Si ЮЕТЕЪ НБУЛХ ОБОПУЙФУС УМПК SiO₂ (ТЙУХОПЛ 1.9). юЕТЕЪ ОЕЪБЭЙЭЕООЩЕ ХЮБУФЛЙ Ч p-Si ПУХЭЕУФЧМСЕФУС ДЙЖЖХЪЙС РТЙНЕУЙ n -ФЙРБ. ъБФЕН Л ПВМБУФЙ p РПДЛМАЮБЕФУС НЙОХУ, Б Л ПВМБУФЙ n ‑ РМАУ. пВТБЪХАФУС ЙЪПМЙТПЧБООЩЕ «ПУФТПЧЛЙ», Ч ЛПФПТЩИ ЖПТНЙТХАФУС ЬМЕНЕОФЩ.

оЕДПУФБФЛЙ:

- ПФОПУЙФЕМШОП ОЕВПМШЫПЕ УПРТПФЙЧМЕОЙЕ РЕТЕИПДБ;

- ЪБНЕФОБС ЕНЛПУФШ НЕЦДХ ЙЪПМЙТХЕНЩНЙ ЬМЕНЕОФБНЙ;

- ХЧЕМЙЮЕОЙЕ РМПЭБДЙ УИЕНЩ.

дПУФПЙОУФЧБ:

- ОЙЪЛЙК РТПГЕОФ ВТБЛПЧБООЩИ УИЕН РТЙ РТПЙЪЧПДУФЧЕ;

- ОЙЪЛБС УФПЙНПУФШ.

В) ЙЪПМСГЙС «ПУФТПЧЛПЧ» РМЕОЛПК ДЧХПЛЙУЙ ЛТЕНОЙС ЙУРПМШЪХЕФУС Ч УИЕНБИ РП РМБОБТОП-ЬРЙФБЛУЙБМШОПК ФЕИОПМПЗЙЙ.

оБ n-Si УП УМПЕН n⁺ ЖПТНЙТХЕФУС НБУЛБ ЙЪ УМПС ДЧХПЛЙУЙ ЛТЕНОЙС SiO₂ (ТЙУХОПЛ 1.10,Б). оЕЪБЭЙЭЈООЩЕ SiO₂ ХЮБУФЛЙ ФТБЧСФУС ОБ ПРТЕДЕМЈООХА ЗМХВЙОХ (ТЙУХОПЛ 1.10,В). рПМХЮБАФУС ЛБОБЧЛЙ. рХФЈН ФЕТНЙЮЕУЛПЗП ПЛЙУМЕОЙС РПЧЕТИОПУФШ УОПЧБ РПЛТЩЧБАФ УМПЕН SiO₂ (ТЙУХОПЛ 1.10,Ч). ъБФЕН ЬРЙФБЛУЙБМШОЩН ОБТБ-ЭЙЧБОЙЕН ОБОПУЙФУС УМПК РПМЙЛТЙУФБММЙЮЕУЛПЗП ЛТЕН-ОЙС (ТЙУХОПЛ 1.10,З). уЙУФЕНБ РЕТЕЧПТБЮЙЧБЕФУС, ЛТЕНОЙК ПЫМЙЖПЧЩЧБЕФУС ДП ПЛЙУМБ. пВТБЪХАФУС «ПУФТПЧЛЙ» n-Si. ч ОЙИ УПЪДБАФУС ЬМЕНЕОФЩ йну.

фБЛЙН ПВТБЪПН, Ч РПДМПЦЛЕ ЙЪ ЛТЕНОЙС ПВТБЪХАФУС “ПУФТПЧЛЙ” n-Si, ЙЪПМЙТПЧБООЩЕ УМПЕН SiO₂ ДТХЗ ПФ ДТХЗБ. уЛТЩФЩК УМПК n⁺ДМС ХНЕОШЫЕОЙС ПВЯЈНОПЗП УПРТПФЙЧМЕОЙС ПВМБУФЙ n-Si.

Ч) РХФЈН РТЙНЕОЕОЙС ДЙЬМЕЛФТЙЮЕУЛПК РПДМПЦЛЙ (УБРЖЙТ, ЛЧБТГ, ПЛУЙД ВЕТЙММЙС). оБ РПДМПЦЛЕ ЧЩТБЭЙЧБАФУС ПУФТПЧЛЙ ЛТЕНОЙС, Й Ч ОЙИ ЖПТНЙТХЕФУС ЬМЕНЕОФ йну Ч ДЙБРБЪПОЕ учю.