Резисторы

Выделяются следующие функциональные виды резисторов: Постоянные резисторы резисторы, обладающие неизменным сопротивлением (в границах погрешности). Переменные и подстрочные резисторы (реостаты) резисторы сопротивление которых изменяется механически, посредством рукоятки или другого органа управления (переменные), либо посредством вставляемого в шлиц инструмента. Варисторы резисторы, сопротивление которых зависит от приложенного напряжения. Терморезисторы и термисторы резисторы, у которых используется зависимость сопротивления от температуры, с положительным (терморезисторы) или отрицательным (термисторы) ТКС. Фоторезисторы резисторы, обладающие зависимостью сопротивления от освещения. Как правило, резисторы имеют два вывода, однако переменные и подстрочные резисторы имеют также отвод от бегунка регулятора а также могут иметь серию отводов из средней части.

Широко используются три класса точности допускающие отклонение сопротивления от номинального значения:

I класс – на ±5 %

II класс – на ±10 %

III класс – на ±20 %

Существует так же так называемые прецизионные резисторы, они выпускаются с допусками:

±2 %

±1 %

+0,2 %

±0,1 %

±0,5 %

±0,02 %

±0,01 %

Если на резисторе выделяется большая мощность, чем предусмотрено, его температура будет повышаться, и он даже может перегореть. В большинстве устройств РЭА применяются резисторы с номинальной мощностью рассеяния от 0,125 до 2 Вт.

Постоянный резистор без указания номинальной мощности рассеивания

0,05 Вт

0,125 Вт

0,25 Вт

0,5 Вт

1 Вт

2 Вт

5 Вт

Выбор и обоснование технологии изготовления полупроводниковых микросхемы
Процесс изготовления современных полупроводниковых ИС весьма сложен. Он проводится только в специальных помещениях с микроклиматом на прецизионном оборудовании. В настоящее время для создания полупроводниковых ИС на биполярных транзисторах используется несколько разновидностей технологических процессов, отличающихся главным образом способами создания изоляции между отдельными элементами.

Исходными данными для проектирования интегральных микросхем является схема электрическая, принципиальная.

Этапы технологии изготовления полупроводниковых интегральных микросхем:

1. Получение исходных пластин (подложек, кристалла)

2. Выращивание плёнок различных материалов, из которых на пластине создаются полупроводниковые диэлектрические и металлические (проводящий) слои.

3. Формирование рисунков, обеспечивающих воспроизведение топологии на поверхности подложки.

4. Сборка и герметизации интегральной микросхемы.

Основные технологические операции изготовления полупроводниковых микросхем можно разделить на шесть этапов.
I. Получение пластин.