Изоляция с помощью p–n перехода

Этот вид изоляции является основным. Он обеспечивает высокий процент выхода годных микросхем при низкой стоимости.

Недостатки: наличие токов утечки, и образование паразитных емкостей, которые являются причиной снижения быстродействия ИМС.

Изоляционные переходы занимают большой объем, и уменьшают плотность компоновки.

Изоляция обеспечивается p–n переходом между подложкой и коллекторными элементами ИМС. При подаче отрицательного потенциала на подложку изолирующий переход смещается в обратном направлении и карманы n-типа, в которых размещаются элементы ИМС, оказываются окруженными со всех сторон областью p-типа, и изолированными друг от друга обратно смещенным p–n переходом.