2015-04-01
475
Расчет статических и динамических параметров заданной базовой схемотехнической структуры на комплементарных МОП-транзисторах основан на предварительной замене последовательно включенных управляющих транзисторов одним эквивалентным транзистором с удельной крутизной
,
и параллельно включенных нагрузочных транзисторов одним эквивалентным транзистором с удельной крутизной
.
Принимая однотипные транзисторы идентичными определяем эквивалентную удельную крутизну управляющих транзисторов
и нагрузочных транзисторов
.
Для обеспечения условия нормальной работы
выбираем напряжение питания 
.
Высокий и низкий уровни выходного напряжения
В; 
В.
Логический перепад
В.
Пороговое напряжение
.
Помехозащищенность по уровню логического “0”:
В.
Помехозащищенность по уровню логической “1”
В.
Помехоустойчивость по уровню логического “0”
.
Помехоустойчивость по уровню логической “1”
.
Как видно из расчетов, форма передаточной характеристики отличается от оптимальной, поскольку 
, 
, 
.
|
|
|
Используя систему уравнений Хофстайна для МОП-транзистора с индуцированным каналом
и учитывая, что 
, 
, 
, получим аналитическое выражение передаточной характеристики базовой схемотехнической структуры на комплементарных МОП-транзисторах вида
Передаточная характеристика представлена на рис. 6.2
|
Рис. 6.2. Передаточная характеристика базовой схемотехнической структуры на комплементарных МОП-транзисторах
