Статическая мощность, потребляемая базовой структурой на комплементарных транзисторах во включенном состоянии:
,
где и - остаточный ток и сопротивление утечки p-канальных транзисторов.
Подставляя числовые значения, получим
Вт
Статическая мощность, потребляемая базовой структурой на комплементарных транзисторах в выключенном состоянии:
где и - остаточный ток и сопротивление утечки n-канальных транзисторов.
Подставляя числовые значения, получим
Вт
Средняя статическая мощность потребления
Вт.
Средняя динамическая мощность потребления
Вт.