2015-05-05
425
Испытание слоев и выпрямительного действия биполярных транзисторов
Общие сведения
Транзистор (рис. 4.1.1) представляет собой полупроводниковый триод, у которого тонкий р -проводящий слой помещен между двумя n -проводящими слоями (n-p-n транзистор) или n -проводящий слой помещен между двумя р -проводящими слоями (p-n-p транзистор).
p-n переходы между средним слоем (база) и двумя крайними слоями (эмиттер и коллектор) обладают выпрямительным свойством, которое можно исследовать как в случае любого выпрямительного диода.
Рис. 4.1.1
Экспериментальная часть
Задание
Снять вольтамперные характеристики эмиттерного и коллекторного p-n переходов транзисторов типа p-n-p и типа n-p-n в прямом направлении. Убедитесь, что в обратном направлении токи через эти p-n переходы ничтожно малы.
