В интегральной схемотехнике логические элементы выполняются на транзисторах, что значительно упрощает технологию изготовления. Чаще всего в качестве входного элемента используется многоэмиттерный транзистор. Схема базового элемента транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ) приведена на рисунке 4.7а.
а б
а – базовый элемент ТТЛ; б – экономичный элемент ТТЛ.
Рисунок 4.7 – Элемент ТТ-логики
В ТТЛ-элементах многоэмиттерный транзистор VT1 реализует функцию "И", а транзистор VT2 - функцию "НЕ". Если на все входы подана "1", т. е высокий потенциал, то эмиттерные переходы транзистора VT1 заперты. Переход база-коллектор VT1 находится под прямым напряжением и открыт. По цепи Un+;R1; база VT1; коллектор VT1;база VT2;эмиттер VT2;Un - протекает ток Iбн, который держит в насыщенном состоянии VT2. Выходное напряжение при этом равно "0". При подаче низкого потенциала хотя бы на один из входов PN переход этого эмиттера открывается и через VT1 начинает протекать ток Iэ, который много больше Iбн. Iэ создает на R1 падение напряжения почти равное Un. Потенциал точки "а" приближается к потенциалу общей шины. В результате Uбэ VT2 стремится к нулю; Iб VT2 прекращается и VT2 переходит в режим отсечки. Напряжение на выходе VT2 стремится к Un, т. е. на выходе VT2 появляется "1". Однако, схема рисунка 4.7а не экономична. Для повышения экономичности используют сложный инвертор (рисунок 4.7б). Каскад на транзисторе VT2 является предварительным и управляет работой транзисторов VT3, VT4. При "1" на всех входах VT2 насыщен и протекает ток Iк2н в несколько раз меньше, чем в схеме рисунок 4.7а. Ток эмиттера VT2 создает на R4 падение напряжения достаточное, чтобы VT4 был насыщен, следовательно, на выходе схемы устанавливается напряжение близкое к нулю, т. е. на выходе "0". При этом VT3 заперт, потому что потенциал точки "C" выше или равен потенциалу точки "B". Такое состояние схемы осуществляется за счет включения диода VD см; падение напряжения на диоде равно приблизительно 0.5В. Отсутствие собственного потребления тока в выходной цепи (за счет закрытого VT3) сложного инвертора делает его экономичным при "0" на выходе.
|
|
При наличии "0" хотя бы на одном из входов VT2 закрыт. Падение напряжения на R4 равно нулю; транзистор VT4 закрыт. Транзистор VT3 открыт возросшим до Un потенциалом точки "B". Ток через VT3, если не присоединена нагрузка, практически не протекает так как VT4 закрыт. Это обеспечивает экономичность схемы в режиме холостого хода при "1" на выходе. Ток при подключении нагрузки определяется соотношением:
Диоды VD1 и VD2 включены для защиты входных цепей и повышения помехоустойчивости. При положительных входных сигналах они заперты и не влияют на работу схемы. Открываются они при отрицательной полярности входных напряжений, что наблюдается при переходных процессах, когда при переключении схемы возникают затухающие колебания из-за наличия паразитных емкостей и индуктивностей. При первой отрицательной полуволне напряжения диод открывается, и напряжение на входе не превышает падения напряжения на диоде. Мощность паразитного колебания гасится и следующая положительная полуволна колебания уже меньше уровня логической единицы, поэтому ложного срабатывания логического элемента не происходит.
|
|
ТТЛ - элементы нашли широкое применение в практике. Промышленностью освоен ряд серий микросхем с ТТЛ, например К133, К134, К155 и другие. В качестве базового элемента серии микросхем могут использоваться элементы "ИЛИ-НЕ". На рисунке 4.8 и 4.9 приведены примеры реализации основного логического базиса с помощью таких элементов.
Рисунок 4.8 - Реализация основного логического базиса
с помощью элемента «2И-НЕ»
Рисунок 4.9 - Реализация основного логического базиса с
помощью элемента «2ИЛИ-НЕ»