Фотодио́д — приёмник оптического излучения[1], который преобразует попавший на его фоточувствительную область свет в электрический заряд за счёт процессов вp-n-переходе.
Принцип работы:
При воздействии квантов излучения в базе происходит генерация свободных носителей, которые устремляются к границе p-n-перехода. Ширина базы (n-область) делается такой, чтобы дырки не успевали рекомбинировать до перехода в p-область. Ток фотодиода определяется током неосновных носителей — дрейфовым током. Быстродействие фотодиода определяется скоростью разделения носителей полем p-n-перехода и ёмкостью p-n-перехода Cp-n
Фотодиод может работать в двух режимах:
· фотогальванический — без внешнего напряжения
· фотодиодный — с внешним обратным напряжением
Параметры:
· чувствительность
отражает изменение электрического состояния на выходе фотодиода при подаче на вход единичного оптического сигнала.
; — токовая чувствительность по световому потоку
; — вольтаическая чувствительность по энергетическому потоку
|
|
· шумы
Шум фотодиода складывается из шумов полупроводникового материала и фотонного шума.
Характеристики:
· вольт-амперная характеристика (ВАХ)
зависимость выходного напряжения от входного тока.
· спектральные характеристики
зависимость фототока от длины волны падающего света на фотодиод.
· световые характеристики
зависимость фототока от освещённости, соответствует прямой пропорциональности фототока от освещённости.
· постоянная времени
это время, в течение которого фототок фотодиода изменяется после освещения или после затемнения фотодиода в е раз (63 %) по отношению к установившемуся значению.
· темновое сопротивление
сопротивление фотодиода в отсутствие освещения.
· инерционность
Классификация
· p-i-n фотодиод
Основная статья: pin диод
· В p-i-n структуре средняя i-область заключена между двумя областями противоположной проводимости. При достаточно большом напряжении оно пронизывает i-область, и свободные носители, появившееся за счет фотонов при облучении, ускоряются электрическим полем p-n переходов. Это дает выигрыш в быстродействии и чувствительности. Повышение быстродействия в p-i-n фотодиоде обусловлено тем, что процесс диффузии заменяется дрейфом электрических зарядов в сильном электрическом поле. Уже при Uобр≈0.1В p-i-n фотодиод имеет преимущество в быстродействии.
· Фотодиод Шоттки (фотодиод с барьером Шоттки)
Структура металл-полупроводник. При образовании структуры часть электронов перейдет из металла в полупроводник p-типа.
· Лавинный фотодиод
Основная статья: Лавинный фотодиод
|
|
· В структуре используется лавинный пробой. Он возникает тогда, когда энергия фотоносителей превышает энергию образования электронно-дырочных пар. Очень чувствительны. Для оценки существует коэффициент лавинного умножения:
· Фотодиод с гетероструктурой
Гетеропереходом называют слой, возникающий на границе двух полупроводников с разной шириной запрещённой зоны. Один слой р+ играет роль «приёмного окна». Заряды генерируются в центральной области. За счет подбора полупроводников с различной шириной запрещённой зоны можно перекрыть весь диапазон длин волн. Недостаток — сложность изготовления.