Исследование зависимостей параметров транзисторов от режима по постоянному току

Отчет по лабораторной работе №10.

Выполнил: ст. гр. РТИ-211

Сычёв А.

Проверил: Михеев В. В.

Омск 2013

Цель работы: Исследовать зависимость величин h-параметров схемы с ОБ от величины постоянного тока эмиттера и постоянного напряжения коллектора.

Описание установки:

Справочные данные транзисторов МП39, МП40, МП41:

Снятие параметров:

u₂ = 0

U_К = 2 В

IЭ, мА	iЭ, мА	iБ, мкА	uЭ, мВ	h11, Ом	h21
0,5	0,05				0,94
	0,1	3,5	3,5		0,96
1,5	0,15			26,6	0,97
	0,2				0,97

i₂ = 0

I_Э = 2 мА

UК, В	iК, мкА	uК, мВ	uЭ, мВ	h12	h22, См
	0,2	0,2	0,14	0,7	0,001
2,5	0,25	0,25	0,2	0,8	0,001
	0,3	0,3	0,28	0,93	0,001
3,5	0,35	0,35	0,35		0,001

Вывод: В ходе лабораторной работы мы исследовали зависимости h-параметров схемы ОБ от величины постоянного тока эмиттера и постоянного напряжения коллектора. Выяснилось, что при повышении тока эмиттера, падает входное сопротивление, а коэффициент передачи по току возрастает. Также, при повышении напряжения коллектора, увеличивается коэффициент ОС, а выходная проводимость остается неизменной.